발광다이오드의 특성

소개글

발광다이오드의 특성에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 관련 이론

2. 실험방법 및 결과

본문내용

016
0.017
0.019
1.0
0.019
0.018
0.021
0.020
1.2
0.026
0.024
0.025
0.035
(문턱전압)
1.4
0.035
(문턱전압)
0.028
0.030
5.553
1.6
0.862
0.037
0.036
1.8
7.965
0.045
(문턱전압)
0.038
2.0
0.852
0.042
2.2
0.049
2.4
0.075
(문턱전압)
[표2]
실제의 다이오드는 음의 전압일때는 전류를 거의 흘려보내지 않습니다. 0V의 전압을 조금 넘으면 이상적인 다이오드는 단락처럼 작동하지만 실제로는 0V가 넘었다고 해서 바로 단락회로가 되는 것이 아니라 어느정도 이상의 전압이 되어야만 단락회로처럼 동작하는 그 전압점이 있습니다. 그 임계점이 되는 전압값이 바로 문턱전압(Threshold Voltage)라고 불리는 것입니다.
다이오드의 Ideal Diode에서는 V가 0이하 일때와 0이상일때 그래프가 90도로 확 꺽이지만 실제 다이오드의 특성곡선을 보면 지수함수 형식으로 변합니다. 지수함수의 그래프를 생각해보면 초반부에는 큰 증가가 없다가 갑자기 변화량이 커지는 점이 존재합니다.
7. LED와 광검출기를 이용하여 아래와 같은 회로도를 구성하시오. LED(적색,녹색, 황색) 실내 광은 최소로 줄이고 광검출기가 자유스럽게 움직일 수 있도록 분리된 종이판에 설치한다.
구분
가변저항(㏀)
외부 빛 차단했을 때 (V)
빛 차단하지 않았을 때 (V)
0
1.350
4.760
2
1.112
4.711
5
0.865
4.632
7
0.495
4.520
10
0.144
4.460
포토트랜지스터와 IRED의 적외선이 비출 수 있도록 회로를 구성한 다음 외부의 빛을 차단했을 때와 차단하지 않았을 때 포토트랜지스터의 전압값을 비교
◈참고이론◈
포토트랜지스터 원리
기호
포토트랜지스터
입사광의 각도
보통의 포토트랜지스터
베이스 단자가 나와있는 포토 트랜지스터
기본적인 PN포토 다이오드에 어떻게 하든 또 하나의 PN접합을 만들어 붙이면 트랜지스터 구성으로 된다. 즉, PN포토 다이오드의 P형 영역 일부에 N형 영역을 만들어 넣는 것이며 이렇게 하면 전체는 NPN형의 트랜지스터 모양으로 되지만 보통의 포토 다이오드 작용에 「증폭」작용이 부가되게 된다. 나중에 만들어 넣은 N형 영역이 이미터(E), P형 층이 베이스(B), 기판쪽의 N층이 컬렉터(C)라는 구성으로 되어 있는데 베이스는 외부로 전극을 나타내고 있지 않지만 여기에 전극을 붙인 타입도 있다.
그런데 빛이 베이스의 P층과 컬렉터의 N층 경계에 들어오면, 여기에 전자와 정공의 조합이 PN포토 다이오드와 같이 만들어져 전자는 의 N층(컬렉터)에, 정공은 의 P층(베이스)으로 움직인다. 여기서 ‘전류의 방향’으로 나타내면(전류는 에서의 방향으로 흐르게 되므로 전자의 움직임과는 반대로 된다는 복잡한 점에 주의) 이 경우, 전류는 N형의 컬렉터에서 P형의 베이스로 흐르는 것이다.
이 빛에 의한 작은 전류는 트랜지스터 전체로 보면 베이스 전류로 되므로 컬렉터에서는 크게 증폭되어 나오게 된다.

키워드

발광,   다이오드,   반도체