led

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led에 대한 보고서 자료입니다.

목차

서 론
본 론
결 론

본문내용

결함, 계면, 도핑 등 박막 품질을 제어하는 단계로서 발광 다이오드 성능을 근본적으로 좌우하는 단계이다. 에픽성장법으론 MOCVD(metal
< 그림 7 - 발광 다이오드 에픽의 기본구조 > organic chemical vapor deposition) 방법이 많이 쓰이는데 이 방식은 개스상태의 원료를 고온에서 화학반응시켜 박막을 성장하는 방법으로써, monolayer 수준으로 이종계면을 제어할 수 있는 매우 정교한 기술이다. 에피성장이 끝난 에피웨이퍼는 노광, 싯각, 금속 전극 증착, 후면가공, 칩 절단 등의 공정을 통해 0.3 ~ 1mm 크기의 개별 칩으로 분리 할 수 있다. < 그림 6-1 - 질화물계 발광 다이오드 칩의 제조 과정 >
칩 공정기술은 내부에서 생성된 광자를 최대한 많이 칩 밖으로 추출하는것이 핵심기술이며 오믹전극 기술, 칩 shaping, 기판본딩 기술, 광자결정 기술, 투명전극 기술 등이 다양하게 적용되고 있다. 칩 공정기술은 특허회피를 위한 아이디어가 필수적이기 때문에 디자인기술이라
<그림 7-2 - 질화물계 발광 다이오드 칩 구조 > 해도 과언이 아니다. 분리된 칩은 개별 패키징 공정을 거친 후 구동회로 및 광학기구와 조립되어 모듈 및 시스템으로 제작된다. 패키징 단계는 칩을 외부로부터 기계적, 환경적,전기적위험요소로부터 보호하는 역할을 하며 광의 제어 및 개선을 위해 광학 설계가 < 그림 7-3 - 여러 가지 형태의 발광 다이오드 패키징> 가미된다. 패키징에서 가장 주목받는 기술은 방열기술로서 패키징 재료 또는 형광체의 내열성뿐만 아니라 전문설계에 의한 배치기술이 필수적이다.
이제 폴리머 발광 다이오드의 제조 과정을 알아보자. 폴리머 발광 다이오드도 발광 다이오드의 일종이므로 기본적인 틀은 위 과정과 크게 다르지 않다.
고분자 발광 소자는 대체로 <그림 7-4>와 같은 구조를 가지며 양극으로는 일함수가 4.8eV인 투명ITO(Indium Tin Dxide)유리를 주로 사용하고 음극으로는 일함수가 2.8eV인 Ca나 4.2eV인 Al을 사용한다. 전자를 음극으로 사용 할 시에는 후자보다 낮은 전압에서 잔자를 발광소자에 투입할 수 있다. 그러나 후자는 전자에 비해 일함수는 크지만 산소나 수분과의 화학반응성이 낮기 때문에 안전성이 좋은 전극이다. Al을 전극으로 사용하면서 낮은 전압에서 발광 다이오드가 작동하도록 하려면 전자친화도가 큰 즉, LUMO 값이 큰 고
< 그림 7 - 4 - 전기 발광 다이오드의 구조 > 분자 화합물층을 소자에 삽입하면 된다. 두개의 반대전하가 재결합할 때의 확률을 높이기 위해 한 종류의 전하를 차단하는 수단으로서도 LUMO, HOMO 값을 사용한다. 즉 전자의 이동을 막으려면 LUMO 값이 작은 고분자 물질을, 전공을 차단하기 위해서는 이온화 포텐셜이 높아 HOMO값이 큰 분자단을 가진 고분자 물질을 삽입한다. <그림 4> 중에서 C분자단을 가진 고분자는 나머지 3개의 분자단에 비해 전자를 받기가 쉽고 LUMO값은 크며 구조 B로 구성된 고분자는 HOMO값이 크다. 대부분의 공액2중결합형고분자의 주쇄는 전자밀도가 높으므로 정공이동은 전자의 이동보다 두자리 수 이상으로 높다. 따라서 높은 발광효율을 얻기 위해서는 전자이동속도를 향상시켜야한다. <그림 7-5>에 전하친화성 및 정공친화성분자단의 구조를 나타내었다. a와 b는 대표적 전자이동매체이며 이들 분자단이 있는 저분자 유기물질이나 고분자재료를 발광소자에 전자수송층으로 삽입하면 높은 발광효율을 얻게 된다. 정공수송층을 삽입하여도 좋은 결과를 얻을 수 있으며 이때는 c나 d 분자단이 핵심구조이다.
< 그림 7-5 - 전하수송체로 많이 쓰이는 분자단의 구조>

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