게이트의 전기적 특성 실험

소개글

게이트의 전기적 특성 실험에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1.서론
2.이론
3. 실험 방법
4. 실험 결과
6. 고찰

본문내용

46
6.00
7
5.43
6.00
9
5.44
6.00
11
5.44
6.00
13
5.44
6.00
15
5.44
6.00
17
5.45
6.00
19
5.47
6.00
21
5.43
6.00
23
0.16
Vcc
Vi
Vo
12.00
3.00
11.41
12.00
5.00
11.42
12.00
7.00
11.43
12.00
9.00
11.42
12.00
11.00
11.44
12.00
13.00
11.42
12.00
15.00
11.43
12.00
17.00
11.43
12.00
19.00
11.41
12.00
21.00
11.40
12.00
23.00
0.15
Vcc
Vi
Vo
15.00
3.00
14.41
15.00
5.00
14.41
15.00
7.00
14.39
15.00
9.00
14.38
15.00
11.00
14.39
15.00
13.00
14.41
15.00
15.00
14.41
15.00
17.00
14.40
15.00
19.00
14.40
15.00
21.00
14.39
15.00
23.00
0.16
Vcc
Vi
Vo
18.00
3.00
15.83
18.00
5.00
15.83
18.00
7.00
15.80
18.00
9.00
15.82
18.00
11.00
15.83
18.00
13.00
15.81
18.00
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15.82
18.00
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15.83
18.00
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15.83
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15.80
18.00
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0.15
Vcc
Vi
Vo
21.00
3.00
16.23
21.00
5.00
16.22
21.00
7.00
16.23
21.00
9.00
16.23
21.00
11.00
16.23
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21.00
16.20
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0.15
Vcc
Vi
Vo
22.00
3.00
0.15
22.00
5.00
0.16
22.00
7.00
0.16
22.00
9.00
0.16
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11.00
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0.15
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15.00
0.15
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17.00
0.16
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19.00
0.16
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21.00
0.16
22.00
23.00
0.17
Vcc 는 3V, Vo는 2V 크기로 값을 변화시켜 Vcc, Vi, Vo의 관계에 대한 실험을 하였다. Y축(Vcc/Vo)는 ≒1.20V지점에서 조금씩 변화 하고 있으나 실험 결과에 대한 오차 등을 고려해 볼 때 게이트가 파괴되는 지점까지의 전압에서의 Vi의 값에서 동일한 결과가 나오는 것을 확인할 수 있었다.
6) Floating input 실험
A1, B1 을 차례로 Floating 시키면서 결과 확인
A1
B1
Vo
5
Floating
0.13
Floating
5
0.13
0
Floating
4.45
Floating
0
4.45
Floating
Floating
0.13
(Unit: V)
실험 결과에서 확인 할 수 있듯이 NAND Gate의 진리표 상 A1에 0V 이 입력된 경우B1에 0V또는 5V가 입력되어도 5V 가됨을 알 수 있고 A1에 5V가 입력된 경우 B1이 Floating 되면 출력 값의 문제가 발생하게 됨을 알 수 있다.
6. 고찰
우리 조는 정보를 수집하고 선배의 조언을 통해서 실험에 임하여서 실험상에 크게 문제가 될 장애를 맞이하지 않았다. 브레드보드 사용법과 멀티미터 사용법 역시 회로실험 시간에 접하기에 큰 문제가 없었다. 다만 실험상 정확한 값인지 알기위해 반복실험을 하여 시간을 많이 소비하였다. 이런 실험을 평소에 많이 접하지 못하기 때문에 좋은 경험이었다.

키워드

게이트,   전기,   ttl