실험 7. 바이폴라 트랜지스터

본문내용

접지 회로의 전류 이득은 dc=IC/IE로 정의된다. 이때 IC
SIMEQ
IE이므로 dc는 거의 1이다. 실제 dc의 값은 0.95∼099의 범위이며, 규격표에는
h
FB로 표기되어 있다. 그리고 관계식은 다음과 같다.
① 이미터 전류 IE = (VEE - VBE)/RE
② 콜렉터 전류 IC = dcIE
③ 베이스 전류 IB = IE - IC
④ 이미터 - 베이스 전압 VEB = VEE - REIE
⑤ 이미터 - 콜렉터 전압 VEC = VEB + VCB
따라서 R2가 작아지면 IE가 커지고 IC가 증가한다.
그림 7-9에서 VBE가 어떤 조건일 때 IC가 최대값이 되는가? 설명하라.
(4)번의 관계식에서 보듯이 VBE가 최소값이 될 때 IC가 최대값이 된다. 그렇다고 VBE가 0이 되서는 안된다.
왜냐하면 VBE가 있어야 트랜지스터가 작동하기 때문이다.
그림 7-9와 같이 연결된 NPN 트랜지스터 회로가 증폭기로서 사용될 수 있음을 설명하라.
공통 이미터 회로(이미터 접지회로)로 설명할수 있다. 이미터 접지 회로의 전류 이득은 dc = IC / IE로 정의된다. 이때 dc 의 값은 20∼200정도이며, 트랜지스터의 규격표에는
h
FE로 표기되어 있다.
① 베이스 전류 IB = (VBB - VBE)/RB
② 콜렉터 전류 IC = dcIB
③ 이미터 전류 IE = IC / dc
④ 콜렉터 - 이미터 전압 VCE = VCC - RCIC
⑤ 베이스 - 콜렉터 전압 VBC = VCE - VBE
따라서 전류이득에 의해서 증폭기로 사용될수 있음을 보인다고 할수 있다.
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트랜지스터의 외형과 각 단자
참고

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