진성_P_N형 반도체
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본문내용

은 그렇지 않다. 이 전도율이 떨어지는 접합면을 공핍영역(depletion zone)이라고 하며, P형 반도체의 운반자인 정공과, N형 반도체의 운반자인 전자가 서로 끌어당겨서 재결합하면서 없어지기 때문에 생긴다. 이 전도율이 떨어지는 부분을 을 이용해서 다이오드를 만든다. 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류가 흐를 수 있지만, 다른 쪽 방향으로는 전류가 흐르지 않는 소자이다. 이런 특성은 정방향 바이어스와 역방향 바이어스를 이용해서 설명한다. 여기서 바이어스라는 말은 P-N접합에 전압을 걸어주는 것을 뜻한다.
결론
이번 보고서를 통해서 진성반도체, P형 반도체, N형 반도체의 특징과 차이점을 알 수 있었고 P형 반도체와 N형 반도체를 사용한 PN접합에 대해서도 공부할 수 있었다. PN접합한 반도체는 우리가 일상적으로 쓰는 다이오드이고 이 다이오드가 다시 응용되면, TR로 쓰일 수도 있는 것을 알 수 있었다. P, N형의 가장기본적인 반도체가 접합을 통해 다른 유용한 소자가 되는 것을 알게 될 수 있었다.
Ref: http://ko.wikipedia.org/wiki/
http://www.semipark.co.kr/semidoc/basic/story.asp

키워드

반도체,   P형,   N형,   진성
  • 가격1,500
  • 페이지수4페이지
  • 등록일2008.12.10
  • 저작시기2008.6
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#503332
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