트랜지스터 스위치

소개글

트랜지스터 스위치에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 실험의 이론
2. 실험 결과
3. 결과 분석 및 고찰
4. 결론

본문내용

MOS 회로

◆NOR 게이트의 MOS 회로

2. 실험 결과
<표 35-1>
[V]
[V]
[V]
[V]
[V]
[mA]
[V]
[mA]
계산값
12.036
0.075
2.56
11.4213
0.1142
22.7758
측정값
12.111
0.075
0.6897
<표 35-2>
[V]
[V]
[V]
[V]
[uA]
[V]
그림 35-8(b)
[V]
[V]
[A]
계산값
0.008
1.7
12.119
0.001
0
측정값
12.127
12.119
0.0002
-5.985
<그림 35-9> - (a)
이고, 이므로 의 값이 입력전압인 의 값과 거의 비슷하다는 것을 알 수 있다. 따라서 포화 상태이다.
<그림 35-9> - (b)
위쪽 파형이 입력전압의 파형이고, 1V/DIV이다.
아래쪽 파형은 출력전압의 파형이고, 5V/DIV이므로 약 12V가 됨을 알 수 있다.
3. 결과 분석 및 고찰
이번 실험은 트랜지스터를 사용해서 스위치 동작을 하는 회로를 구성하는 것이다.
<그림 35-7>의 회로를 실험은 트랜지스터를 포화상태로 만드는 것인데 의 값이 12.036V로 입력 전압의 크기와 거의 같았고, 의 값이 0.075V로 전압강하가 나타나는 것으로 보아 트랜지스터가 포화상태임을 알 수 있었다.
다음 실험인 <그림 35-8>의 회로에서는 위의 실험과는 반대로 의 값이 12.119V로 입력 전압의 크기와 거의 같고, 의 값이 0.008V로 저항 양단에서 전압강하가 발생되는 것으로 보아 트랜지스터가 차단상태에 놓여있음을 알 수 있었다. 또한 베이스와 에미터에 각각 -6V, 12V를 입력전압으로 넣어 줌으로써 베이스 에미터 접합을 역바이어스 상태에 놓이게 함으로써 더욱 확실한 차단상태를 유지할 수 있다는 것을 확인 하였다.
마지막 실험인 <그림 35-9>의 회로를 결선을 하고 오실로스코프를 사용해서 입력전압과 출력전압의 파형을 확인하였다. 회로의 다이오드에 의해서 정현파인 입력전압이 (-)일 때만 베이스 단자에 입력이 되기 때문에 입력전압이 (+)일 때는 출력이 OFF가 되고 (-)일 때는 출력이 ON이 되어, 입력전압을 정현파로 넣어주었지만 출력파형은 구형파로 나타나고, 약 12V의 크기로 출력이 된다는 것을 볼 수 있었고, 또한 입력 파형과 출력 파형이 180°의 위상차를 보임을 알 수 있었다.
4. 결론
이번주 실험은 ‘트랜지스터 스위치’였다. 다른 주의 실험에 비해서 회로가 비교적 간단하였고, 실험을 시작하기 전에 트랜지스터의 데이터시트를 확인하여 부품의 E, B, C단자의 위치를 각각 확인하였기 때문에 빠른 시간 안에 실험을 할 수가 있었다.
실험을 통해서 트랜지스터를 포화상태와 차단상태로 만들고, 각각 와 의 값이 전압강하를 보이는 것을 통해서 포화상태와 차단상태가 되었음을 알 수 있었다.
마지막 실험은 오실로스코프를 사용하는 것이었기 때문에 오실로스코프에 파형을 보기 좋게 띄우기 위해 입력전압은 CH1, 출력전압은 CH2에 연결하여 동시에 보이게 함으로써 결과를 좀 더 쉽게 확인할 수 있었다. 처음에는 입력전압을 보기위해 교재에 나와 있는 것처럼 오실로스코프를 2mV/DIV에 맞추어 놓았는데 파형이 너무 크게 나와서 모양을 제대로 보기가 힘들어 1V/DIV로 바꾸었고, 그러고 나서야 보기 좋은 크기의 파형을 볼 수 있었다.
5.참고문헌
CMOS VLSI DESIGN - A Circuit and System Pers Pecvive, weste/Harris지음
Microelectronic Circuits, Sedra, Smith 지음

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트랜지스터,   스위치,   ㅋㅋ