PNP·NPN 트랜지스터 동작원리와 각 소자의 기능

소개글

PNP·NPN 트랜지스터 동작원리와 각 소자의 기능에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. n형 반도체
2. p형 반도체
3. pn접합 다이오드
4. 트랜지스터
5. 트랜지스터의 종류
6. 바이 폴라 접합 트랜지스터(BJT)를 이루고 있는 각 전극별 이름과 기능
7. 기본적인 트랜지스터의 동작
8. BJT의 원리 - NPN 트랜지스터

본문내용

순방향 바이어스, 켈렉터-베이스 사이 접합은 VCC에 의해 역방향 바이어스를 걸어 주어야 한다.
* BJT의 원리 - NPN 트랜지스터
- 무겁게 도핑된 n형 이미터 영역은 그림에 나타낸 것처럼 매우 조밀한 전도 대역의 자유전자를 갖는다. 이러한 자유전자는 그림에서 큰 화살표에 의해 표시된 것과 같이 순방향 바이어스 된 BE 접합에서 가볍게 도핑되고, 매우 얇은 영역인 p형의 베이스 영역으로 쉽게 확산된다. 한편 해당 베이스 영역은 비록 정공이 다수 반송자이기는 하지만 그 밀도가 매우 낮다. 베이스 영역으로 유입된 아주 적은 양의 자유전자들은 베이스 영역으로 주입되어 정공과 결합한다. 이것은 베이스 영역을 통해 가전자 대역의 전자로서 베이스에서 이미터로 정공전류로 이동한다.
가전자 대역의 전자로서 정공과 결합한 전자들이 베이스의 단결정 구조를 떠나게 되면, 이 전자들은 금속의 베이스 리드로 들어가 자유전자가 되고, 이것은 외부 베이스 전류가 된다. 그러나 베이스 영역으로 들어간 자유전자의 대부분은 정공들과 결합하지 않는데, 그 이유는 베이스영역의 구조가 매우 얇기 때문이다. 대부분의 자유전자들은 역방향 바이어스 된 BC 접합으로 이동하는데, 양전압으로 대전된 컬렉터 전압에 의해 컬렉터 영역으로 흘러 들어가게 된다. 이 자유전자들은 컬렉터 영역을 지나 외부회로로 들어가고, 이것은 다시 이미터 영역으로 되돌아오게 된다. 이미터 전류는 컬렉터 전류에 비해 다소 크다. 그 이유는 이미터에서 베이스 영역으로 인가된 전체 전류의 일부가 베이스 영역으로 빠져나가고 그 나머지가 컬렉터 영역으로 들어가기 때문이다.

키워드

NPN트랜지스터,   PNP트랜지스터,   다이오드,   동작원리,   소자의 기능,   n형 반도체,   p형 반도체,   pn접합