보조기억장치
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소개글

보조기억장치에 대한 보고서 자료입니다.

본문내용

도체 중에 하나로 주목받고 있지만 FRAM은 DRAM(dynamic RAM)과 같은 빠른 동작 속도, 3V 또는 5V의 낮은 동작 전압, 데이터 읽기/쓰기 반복 횟수 1조회 이상 가능한 뛰어난 동작 특성을 갖는다.
차세대 메모리는 바로 이런 특징을 갖도록 개발되고 있는 메모리를 말하는데, 현 단계에서 상업화가 가능할 것이라고 내다보고 있는 메모리는 PRAM, FRAM, MRAM 3종류로 크게 가닥이 잡혀가고 있다. 이들 세 종류의 메모리는 시제품 단계에서 그 가능성을 검중 받고 있다. 플래시 램과 같은 비휘발성 메모리이면서 램보다 최대 1000배 이상 빠른 속도를 보여주고 있다. 물론 플래시 램에 비해 1000배 이상 빠르다 하더라고 DRAM에 비해선 속도가 느리지만, 데이터가 사라지지 않는 비휘발성이라는 장점과 DRAM이나 ROM에 비해 저전력 아래에서도 동작이 가능하다는 점에서 차세대 메모리 반도체는 DRAM과 플래시 램 분야 모두에서 큰 반향을 일으킬 것이 확실하다.
- 차세대 메모리의 종류
구분
PRAM
FRAM
MRAM
동작원리
특정 물질의 상변화
강유전체의 분극특성
전극의 자화 방향
장점
비휘발성, 고속, 고집적화
비휘발성, 고속, 저전력
비휘발성, 고속, 내구성
단점
쓰기 시간
내구성 취약
상대적 고비용
차세대 메모리들은 메모리 반도체를 구성하는 기본단위를 이루는 물질에 따라서 종류가 구분된다. P(Phase Change) 램은 상변화를 일으키는 물질을 이용하여 메모리 반도체를 구성하는 것이며, F(Ferroelectric) 램은 강유전체 물질을 이용한 반도체, M(Magnetic) 램은 자성체를 이용해 반도체를 구성한 메모리를 말한다.
6. USB 플래시 드라이브(USB flash drive)
USB 플래시 드라이브(USB flash drive)는 USB 포트에 꽂아 쓰는 플래시 메모리를 이용한 이동형 저장 장치를 말한다. 2007년 현재 32MB부터 64GB까지 다양한 용량의 제품이 판매 중이다. USB 메모리나 USB 디스크 등으로 불리기도 한다.
크기가 일회용 라이터 정도에 불과해 휴대하기도 매우 간편하다. 또한 큰 용량의 파일을 가지고 다닐 때나 파일을 옮길 때 편리하며 보안용 암호장치도 있어 자료를 안전하게 보관할 수 있다. 특히 대한민국 환경에서는 인터넷 뱅킹 사용자가 회사나 PC방에서 거래할 때 필요한 공인인증서를 안전하게 쓸 수 있어 정보의 외부유출 위험을 줄일 수 있다.

키워드

  • 가격2,000
  • 페이지수6페이지
  • 등록일2012.03.13
  • 저작시기2009.03
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#786714
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