[실험] (결과보고서) Si, Ge Diode 특성

소개글

[실험] (결과보고서) Si, Ge Diode 특성에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1.데이터 및 결과
<Si>
<Ge>

2.결과

본문내용

Si>
Si와 Ge는 각각의 동작전압이 있다. 이론에 따르면 Si와 Ge의 동작 전압은 각각 0.7V, 0.3V이다. 이 각각의 동작전압만큼 Si, Ge의 출력파형은 입력파형에 비해 손실이 크게 생긴다.
실험결과에서는 이론에서 예상한 0.7V, 0.3V와 같은 수치가 나오지 않았지만 실험장비와 측정과정에서의 오차 때문인 것 같다. 하지만 Si와 Ge의 출력파형에서는 동작전압의 차이가 명확히 눈에 나타난다.
2.결과
이번실험을 통해 알 수 있었던 것으로는 첫째로 Si와 Ge의 반도체는 일정전압이상이 가해졌을 때 반도체들이 전류가 통하는 소자로써 작동한다는 것이다. Si의 경우 동작전압이 0.7V, Ge의 경우에는 0.3V이상의 전압이 가해져야 전류가 흐른다는 것을 알았다. 또한 반도체 내부의 저항과 여로요인 때문에 입력된 양보다 약간 줄어든 파형을 볼 수 있었다.
I-V특성곡선을 나타내기 위해 오실로스코프 X-Y모드 출력파형을 이용하였고 그 결과 Si의 동작점이 Ge의 동작점보다 크다는 결과를 얻게 되었다. 이러한 결과값의 이유는 Si와 Ge의 재료의 성질이 서로 다르기 때문에 각 장벽의 전압이 서로 다르다. 그렇기 때문에 동작 전압이 각각 다른 것이다. 또한 LD Bias1을 증가시킬 때 Si와 Ge도 진폭이 서서히 증가하는 결과를 얻었고 대신 Ge가 Si보다 적은 전류로 CH1의 파형과 같게 나타났다.
결과적으로 순방향 Bias일 때 정공들은 n영역 쪽으로 이동하고 자유전자는 반대로 p영역 쪽으로 이동하기 때문에 공핍층의 두께가 얇아져서 ‘전류가 흐른다.’라는 이론을 확인할 수 있었다.

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