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MOSFET은 오른쪽 식과 같이 VGS에 의해서 제어되는 이상적인 전류원처럼 동작할 것이다.
모의실험
① Vt 측정
시뮬레이션 예측에 따르면 ID 값이 상승하기 시작하는 Vt는 1.6V 근방이었다.
② NMOS의 I-V 특성 곡선
<VGS = 5V 일 때의 ID 곡선>
<VGS =
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I-V 특성 곡선
5. REFERENCE
반도체 공학, 일진사, 허규성, 2003
Solid State Electronic Device, Prentice Hall, Inc, Ben G. Streetman And
Sanjay Banerjee, 2000
- http://elecpia.cntc.ac.kr/semi/index.htm
- http://heonlee.korea.ac.kr/patent.php 1. MOSFET의 기본 원리
2. MOSFET의 Parameter
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1. 실험제목
N-Channel MOSFET 전류/전압 특성 측정
2. 실험목적
N-Channel MOSFET을 기판에 납땜하고, 그를 이용하여 N-Channel MOSFET의 전류/전압특성을 측정한다.
3. 실험장치
- FDC6329L (MOSFET 소자)
- Function Generator, Power Supply
- Oscilloscope
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제공전전 제 1회 이절도사는 부처님께 절하여 아들을 구하며 진나한은 세상에 태어나 모태에 깃들다.
제공전전 2회 동사굉은 장례로 딸을 팔고 산 나한은 좋은 사람을 구해주다.
제공전전 3회 선기를 베풀어 조문회씨집 질병을 치료
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1. 실험제목
MOSFET Circuit – Basic MOSFET Circuit
2. 실험목적
- MOSFET이 어떤 소자인지 알아보고 기본적인 동작 특성을 이해한다.
- N-Channel MOSFET의 전류/전압 특성을 관찰한다.
- Invertor를 구현하고 그 특성을 관찰한다.
3. 실험장치
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- 클린 부스트
그림 47. Clean Boost 전체 회로
5.3 Fuzz - 퍼즈
그림 48. Fuzz 전체 회로
5.4 Delay - 딜레이
그림 49. Delay 전체 회로
PT2399 (Single Chip Echo Processor IC)
그림 50. PT2399 PIN 배열
PT2399 블록 다이어그램
그림 51. PT2399 블록 다이어그램
PT2399 핀 설명
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