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실험결과 전압이득에 주된 영향을 미치는 요인은 출력저항의 크기로 나타났다. 예측대로 무부하시 가장큰 전압이득을 보였으며, 낮은 부하인 470Ω일때는 가장 낮은 부하 저항을 나타냈다.
출력이 컬렉터 단으로 나왔지만, 에미터 플로러 증
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결과 및 분석
1) 실험8 : 에미터 공통 증폭기 회로 특성
1) 에미터 공통 증폭기 회로 전류 이득
베이스전류=10uA
콜렉터전압=4V
베이스전류 최대값=162.2uA
베이스전류=30uA
베이스전류=40uA
시뮬레이션 결과
분석 : 우선 베이스 전류를 10uA가 되도록
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실험 3. 트랜지스터 증폭기 실험 17
1. 실험 목적 17
2. 기초이론 17
3. 예비 보고서 21
4. 실험기자재 및 부품 21
5. 실험방법 및 순서 22
6. 실험결과 23
실험 4. FET특성 및 증폭기 28
1. 실험 목적 28
2. 기초이론 28
3. 예비 보고서 33
4.
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트랜지스터와 회로를 구성할 땐, 복잡한 계산이 필요하며 이것이 쉽지 않다는 것을 알 수 있다. 결과값과 결론이 이론과 같게 나온 실험이었다.
6. 참고
<김상배 저, 개정판 기초전기전자실험, 홍릉과학출판사> 1. 실험의 목표
2. 기본
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실험에서는 약간의 오차가 발생하였습니다. 그 이유는 계산과정에서 약간의 오차가 있어서 결과값과 측정값의 차기가 발행 한것 같습니다. 공통 소스 트랜지스터 증폭기
실험 순서
1. Idss와 Vp측정
2. 공통 소스 회로의 직류 바이어스
3
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이득 등 필요한 정보를 계산한 결과를 쉽게 확인할 수 있어 직접 하나하나 계산하지 않고 MATLAB을 통해 쉽게 계산할 수 있다는 것을 배우게 되어 유익했다. 12장. 증폭기의 주파수 특성
1. 사용 장비 및 부품
2. 실험 방법 및 결과
3. 결론
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이번 실험을 통해 직류전압만 흐를 때는 트랜지스터가 증폭기로서의 역할을 하지 않으며 교류전압이 흐를 때 증폭기로서의 역할을 한다는 것을 알 수 있었다. ●목 적
●기기 및 부품
●관련 이론
●실험과정
● 실험결과
●고찰
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난다. 그 예로 이번 실 험 데이터에서 최대역전압(PIV)값이 이론상 두 데이터가 같게 나와야하지만, 그 값이 조금 차이가 남을 볼 수 있다. 1. 회로시험기를 사용한 트랜지스터의 검사
2. 출력특성곡선
검토사항
※ 종합 검토 및 논의
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실험결과
실험 1. Transistor 특성 곡선
일 때 컬렉터는 역방향 바이어스가 아니므로 컬렉터 전류는 0이 된다. 를 약간 증가시키면 컬렉터 전류 는 급속히 증가하며, 특성 곡선 중 원점 부근의 직선부분을 포화 영역이라 하고, 이 영역에서 는 0.7V
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컬렉터와 부하저항에 용량성 결합되어 있다.
5. 예비 고찰
이번 실험에서는 트랜지스터를 이용한 스위칭 회로와 전류 증폭 회로를 구성하여, 트랜지스터의 특성을 알아보는 실험을 할 것이다. 각각 실험 내용대로 회로를 구성한다면 스위칭
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