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트랜지스터의 재료는 실리콘(Si)이고, 약 0.3V이면 게르마늄(Ge)이다. 만일 이미터가 다이오드 시험눈금이 없다면 반도체 재료를 바로 결정할 수 없다. 1. 트랜지스터 형, 단자, 재료 결정 절차
2. 트랜지스터 실험1 결과 1
3. 트랜지스터 실
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실험제목
2. 실험목적
3. 실험도구
4. 실험이론
5. 실험방법
6. 고찰
7. 참고문헌
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실험 후 과정): 고찰 사항
1. BJT 전류-전압 특성 곡선 실험을 Pre-Lab(4절)에서 MultiSim으로 시뮬레이션한 데이터와 In-Lab(5절)에서 NI ELVIS II로 측정한 데이터를 비교하라. 시뮬레이션 데이터와 측정 데이터 사이의 오차를 토의하시오.
공통 컬렉터
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방식으로 측정값을 결정하니 좀 더 수월하였고 결과도 좋았다. 실험 목적
▣ 결과 값 및 종합 검토/논의
1. 회로시험기를 사용한 트랜지스터의 검사
2. 출력특성곡선
검토사항
※ 종합 검토 및 논의
《 오차의 원인 고찰 》
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실험한 후 결과를 확인하면 같은 소자라도 특성이 다 다르기 때문에 다른 실험 결과 값이 얻어진다. (트랜지스터가 바뀌면 Shockley방정식에 의해 ,가 변화 : 와 또한 변화)
9. JFET 전압분배 바이어스 회로해석은 BJT 바이어스 회로해석방법과 동일
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트랜지스터 : 2SC1815 (1개)
4. 실험 방법
4.1 트랜지스터 동작 영역
1) 실험 회로 6-1의 회로를 구성하라.
2) 를 0V에서 8V까지 0.5V 간격으로 변화시키면서 와 를 측정하고 이로부터 와 를 계산하라. 아울러 에 따른 의 그래프를 그려라.
3) 위의 결과로
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하면 β는 약 1000이되어 1000배로 증폭된 컬렉터 전류가 흐르게 된다. 이것이 트랜지스터의 증폭작용이라 한다. 1. 트랜지스터의 작용
2. 트랜지스터의 동작원리
3. 트랜지스터 스위칭 실험
4. 트랜지스터 스위칭 실험 결과
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실험 결과 및 고찰···················37
5.1 Bias Aging에 따른 MIM 특성 분석··········37
5.2 Bias Aging에 따른 유기 박막 트랜지스터
소자 특성 분석···························38
제6장 결론············
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트랜지스터가 합쳐진 구조로 그림에 1,2,3,순으로 Base, Collector, Emitter임.
내열성과 내전압성이 우수한 전압으로서 주로 전력 증폭률이 높은 회로에 사용됨.
극성이 없고 용량이 작아서 고주파 대역에서 주로 사용됨.
4.실험 내용 및 결과
1) 달링
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실험에서 다룬 B급 증폭기에선 출력의 연결이 원활하지 못하면 왜곡이 발 생하였다. 이 왜곡은 Crossover Distortion이라고 한다. 이 왜곡이 일어난 이유 는 B급 증폭기의 특징인 출력신호가 반주기에 해당하는 부분만 나타내기 때문 이다. 이는 Push-
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