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실험 후 과정): 고찰 사항
1. BJT 전류-전압 특성 곡선 실험을 Pre-Lab(4절)에서 MultiSim으로 시뮬레이션한 데이터와 In-Lab(5절)에서 NI ELVIS II로 측정한 데이터를 비교하라. 시뮬레이션 데이터와 측정 데이터 사이의 오차를 토의하시오.
공통 컬렉터
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방식으로 측정값을 결정하니 좀 더 수월하였고 결과도 좋았다. 실험 목적
▣ 결과 값 및 종합 검토/논의
1. 회로시험기를 사용한 트랜지스터의 검사
2. 출력특성곡선
검토사항
※ 종합 검토 및 논의
《 오차의 원인 고찰 》
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실험한 후 결과를 확인하면 같은 소자라도 특성이 다 다르기 때문에 다른 실험 결과 값이 얻어진다. (트랜지스터가 바뀌면 Shockley방정식에 의해 ,가 변화 : 와 또한 변화)
9. JFET 전압분배 바이어스 회로해석은 BJT 바이어스 회로해석방법과 동일
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트랜지스터 : 2SC1815 (1개)
4. 실험 방법
4.1 트랜지스터 동작 영역
1) 실험 회로 6-1의 회로를 구성하라.
2) 를 0V에서 8V까지 0.5V 간격으로 변화시키면서 와 를 측정하고 이로부터 와 를 계산하라. 아울러 에 따른 의 그래프를 그려라.
3) 위의 결과로
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하면 β는 약 1000이되어 1000배로 증폭된 컬렉터 전류가 흐르게 된다. 이것이 트랜지스터의 증폭작용이라 한다. 1. 트랜지스터의 작용
2. 트랜지스터의 동작원리
3. 트랜지스터 스위칭 실험
4. 트랜지스터 스위칭 실험 결과
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실험 결과 및 고찰···················37
5.1 Bias Aging에 따른 MIM 특성 분석··········37
5.2 Bias Aging에 따른 유기 박막 트랜지스터
소자 특성 분석···························38
제6장 결론············
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트랜지스터가 합쳐진 구조로 그림에 1,2,3,순으로 Base, Collector, Emitter임.
내열성과 내전압성이 우수한 전압으로서 주로 전력 증폭률이 높은 회로에 사용됨.
극성이 없고 용량이 작아서 고주파 대역에서 주로 사용됨.
4.실험 내용 및 결과
1) 달링
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실험에서 다룬 B급 증폭기에선 출력의 연결이 원활하지 못하면 왜곡이 발 생하였다. 이 왜곡은 Crossover Distortion이라고 한다. 이 왜곡이 일어난 이유 는 B급 증폭기의 특징인 출력신호가 반주기에 해당하는 부분만 나타내기 때문 이다. 이는 Push-
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트랜지스터
Ⅳ. 실험 방법
1) 다음과 같은 회로도를 그린다.
3) PSPICE를 이용하여 특성곡선을 출력한다.
참고문헌
James J. Brophy, Basic Electronics for Scientists, McGrow Hill
이석목, 2003년 1학기 전자물리학 강의노트
안영화 외3명, 전자공학으로의 초대,
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트랜지스터
Ⅳ. 실험 방법
1) 다음과 같은 회로도를 그린다.
3) PSPICE를 이용하여 특성곡선을 출력한다.
참고문헌
James J. Brophy, Basic Electronics for Scientists, McGrow Hill
이석목, 2003년 1학기 전자물리학 강의노트
안영화 외3명, 전자공학으로의 초대,
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