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트랜지스터의 Vce-Ic 특성
14-2 트랜지스터의 Ic-Vbe 특성
14-3 트랜지스터의 hfe-Ic 특성
14-4 트랜지스터의 re저항 계산법
14-5 트랜지스터의 hfe()측정
14-6 트랜지스터의 3가지 영역
14-7 트랜지스터의 증폭작용
14-8 트랜지스터의 증폭도
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하면 β는 약 1000이되어 1000배로 증폭된 컬렉터 전류가 흐르게 된다. 이것이 트랜지스터의 증폭작용이라 한다. 1. 트랜지스터의 작용
2. 트랜지스터의 동작원리
3. 트랜지스터 스위칭 실험
4. 트랜지스터 스위칭 실험 결과
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Sedra, Smith/ Oxford/ 2004년
3) 전자회로/ 김경기, 김덕진, 이종악 공저/ 광문각 출판/ 2004년
4) 전기전자기초실험/ 대한전자공학회/ 청문각/ 2005년 1. Titel
2. Name
3. Abstract
4. Background
5. Simulation
6. Experimental Result
7. Analysis
8. Appendix
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실험
* 실험 목적
* 내용요약
1. 포토다이오드
1) 동작원리
2) 포토다이오드의 구조
3) 포토다이오드의 종류
2. 포토 트랜지스터
3. 포토 인터럽터
1) 포토 인터럽터의 종류
4. 포토 커플러
1) 정의
2) 특징
* 실험 예상 및 분석
1. 부품
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다짐했다.
그래도 결론적으로는 실험의 데이터 값을 무사히 도출할 수 있었고, 표의 전압을 기록하고 공식을 통해 도출하면서이 실험의 목적인 트랜지스터의 스위칭작용과 증폭작용에 대해 가시적으로 확인하게 되었다.
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