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시간이 걸린다.
키르히오프의 폐회로 법칙에 의해(저항에서는 전압강하, 인덕터에서는 역기전력을 모두 더한값) 실험목표
실험기구
실험이론 및 방법
(RL 회로,저항성회로, 용량성회로, 유도성회로, RLC회 로)
실험 결과
질의응답
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발생하였다. 그 이유로는 측정값 중 저항에 걸린 전압()의 값이 정상치보다 높게 측정되어 전류()값도 높게 계산되었다. 와 는와 반비례 관계이여서 더 적게 계산결과가 나왔다. 1. 실험 목적
2. 기본 이론
3. 실험 결과 및 분석
4. 고 찰
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및 인덕턴스 작용을 그래프로 관찰하고, 충전용량 C와 인덕턴스 L값이 실험값과 일치하는가를 확인한다.
2. 이론
(1) RC회로 (콘덴서의 충방전)
직류전압 V0가 전하가 축적되어 있지 1. 실험목적
2. 이론
(1) RC회로 (콘덴서의 충방전)
(2) RL
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안정된 회로이다.
를 값으로 임의로 정해 회로 구성을 할 수 있다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 순서
(1) 콜렉터 궤환 회로
(2) 이미터 바이어스 회로
(3) 전압분배기 회로
5.. 연습문제
6. 결론 및 고찰
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흐르는 전류에는 높은 저항을 유도 한다. Ⅰ. 개요 (Introduction)
Ⅱ. 이론 (Theory)
Ⅲ. 실험장치 및 실험절차 (Apparatus & Procedure)
Ⅳ. 데이터 및 결과 (Data & Results)
Ⅴ. 오차분석 (Error Analysis)
Ⅵ. 토의 (Discussion)
Ⅶ. 참고문헌 (References)
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실험
*옴의 법칙, 테브난, 노오튼의 정리를 이용한 이론치 계산
1. RL1 = 1kΩ
2. RL2 = 1.5kΩ
3. RL3 = 2.2kΩ
4. RL4 = 3.3kΩ
5. RL5 = 5.6kΩ
6. RL6 = 12kΩ
7. RL7 = 27kΩ
8. RL8 = 33kΩ
9. RL9 = 47kΩ
10. RL10 = 68kΩ
4. 측정 결과(표)
5. 결론
6.실험을 마치
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실험은 오차값이 많이 난 거 같아서 다음부터는 차근차근 실험을 해나가야겠다는 생각이 드는 실험이었다. 이론
실험 결과 (R=3.3KΩ, L=10mH, C=0.022*10F)
(1)R-L회로
(2)R-C회로
(3)R-L-C회로
(4)R-L-C회로 (다른 주파수 = 7K H)
결과 및 고찰
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다른 값들의 충전율()을 만들 수 있다. 이를 이용하여
값의 1- 를 구할 수 있다. 이제 이것을 이용하여 그래프를 그리면
위의 그래프가 그려지고 그리하여 RC는 1/0.032이다. 따라서 충전 할 1.실험목적
2.실험이론
3.실험결과
4.논의 및 토의
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실험 결과를 통해 알 수 있다.
< 4. 실험 결과에 대한 토의 및 고찰 >
설계2. CMOS OP AMP 설계는 CD4007의 MOSFET소자를 사용하여 회로를 구성하고 two-stage CMOS op amp의 동작특성에 대하여 실험을 통하여 알아보았다.
설계를 진행하면서, CD4007이라는
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실험할 FET실험도 사전에 FET에 대한 철저한 예비 공부와 그에따른 회로도 많이 공부해봐야 겠습니다. 1>기본이론(멀티바이브레이터,슈미트트리거회로)
2>사용기기와부품
3>실험내용과 방법
4>결과값및 고찰
5>이번실험을 통하여 느
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