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1. 실험 제목 : BJT의 특성 및 bias
2. 실험 목적 : 자유전자와 정공을 동시에 이용하는 트랜지스터를 이해하고 트랜지스터 npn/pnp형의 특성을 실험을 통해 알아본다. 또한 트랜지스터의 동작을 확인해본다.
3. 준비물
전원 : 1.5v, 6v dc전원 (2채널 DC p
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특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라.
-2N2907A pnp형
= -60V = -60V =-600 = 400 = 300 = 300ns
-2N2222A npn형
= 40V = 75V = 800 = 500 = 0 = 250ns
참고 문헌: 네이버/구글 검색엔진 & 전자회로 7판 전자회로실험 - BJT의 특성 및 bias
1. 실험
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전압을 인가해줌으로써 전류가 흐르게 된다.
그림2. BJT의 동작[2]
Case1) Forward Active Mode
① Emitter - Base의 PN접합면에, Emitter보다 Base쪽에 더 높은 전압을 가하게 되면 Forward Biased(순방향 바이어스)가 걸리게 된다.(PNP의 경우 반대)
② 순
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실험 결과 (시뮬레이션)
PSpice 모의실험 - Ch.3 BJT의 고정 및 전압분배 바이어스
PSpice를 통해 주어진 회로를 구성하여 트랜지스터의 β 값을 계산하라. 또한, 회로의 schematic 및 VB, VE, IE, IC, VC, IB 를 확인하고 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과
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bias후 측정가능하나 그 값이 매우 작아 측정이 힘들다.
6. 실험에 사용한 트랜지스터의 특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라.
-2N2907A pnp형
= -60V = -60V =-600 = 400 = 300 = 300ns
-2N2222A npn형
= 40V = 75V = 800 = 500 = 0 = 250ns
참고 문헌
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