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전자기기에 접목시키고, 설계할 수 있다는 것을 알게 되었다.
6. 참고문헌 및 자료
<김상배 저, 개정판 기초전기전자실험, 홍릉과학출판사>
<http://blue.snut.ac.kr/~hldo> 1. 실험목표
2. 기본이론
3. 사용기기와 부품
4. 실험내용과
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트랜지스터
2) JFET의 출력 특성 곡선 (게이트 전압에 따른 드레인 전류와 드레인 소스 전압의 특성)에 포화 영역, 차단 영역, 옴 영역의 구분.
3) JFET의 소신호 등가 모델(FET와 BJT의 차이점)을 알아보고, R1과 R2 값을 결정한다.
4. 실험 결과
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Emitter보다 농도가 작게 도핑 되어 실제 시판 되고 있다.
BJT 구조에서 Emitter와 Collector는 같은 물질의 반도체로 구성되어 있으나 그 부피나 농도는 다르게 제작 되어진다.
3. 시뮬레이션 결과 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 시뮬레이션 결과
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실험값)(20mV/div, 2ms/div)
※ R을 오픈했을때 노드 9 출력전압 파형(pspice)(최대값 : 44.115mV)
※ R을 오픈했을때 노드 9 출력전압 파형(실험값)(20mV/div, 2ms/div)
표2. CC BJT증폭기의 교류해석에 관련된 파라메터들
입력저항
Ri=vs /is
전류이득
Ai = io /is
전압
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서적 :
전기전자 기초실험(청문각)
Fundamentals of Electric circuits
회로이론 -6th Editio (Engineering Circuit Analysis 번역판)
http://blog.naver.com/josm3123/ 1.실험 제목
2.실험 목적
3.실험 이론
4.결과 예상치
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