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1-1. PoRAM (Polymer Random Access Memor)
1-2. PRAM (Phase change random assess memory)
1-3. MRAM (Magnetoresistive random access memory)
1-4. FRAM
1-5. ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
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15rem/y, 4rem/3month
5)특수한 경우
방사선 피폭이 불분명 할 때 : 매년 최대 허용선량을 받았다고 인정
긴급 사태시 생명을 구하는 일이 아닌 경우 최대 허용 선량 : 500mSV 1.방사선 생물학
2.방사선 관리학
3.방사선 물리학
4.방사선 전기
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물질이 끼기 쉽기 때문에 신경 써서 닦아주어야 하고 닦아준 다음 위에서 아래 방향으로 물을 여러 번 끼얹어 닦아 줄 것을 설명한다. 물기를 닦을 때도 부드러운 수건을 사용하여 고환을 먼저 닦은 후 성기를 닦고, 사타구니 등의 접힌 부분
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1) 키도 준지 저, 유기EL (光文閣, 2004)
(2) 방승철 저, 셸 관점 이진의 컴퓨터 형성 홀로그램에 관한 연구 (광운대학, 1985)
(3) 윤재선 저, 기초광학 (다성출판사, 2002)
(4) Hecht 저, 광학 (대웅, 1996)
(5) Jones / Childers 저, 대학 일반물리학 (북스힐, 2001)
(6
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1] LED 조명기술, 태영문화사, 김형식·황의천 공저
[2] 고출력 LED 및 고체광원 조명기술, 아진, 김래현외 6명 공저
[3] 고출력 LED 패키징 기술의 현황, 신무환, 물리학과 첨단기술 2008. 11
[4] 첨단 광산업의 현재와 미래, 현동훈, 한국기산대 Nano-TIC,
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