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회로와 RL회로의 전달함수의 크기의 주파수 특성을 실험적으로 구할 때 측정 주파수를 각각에 대해 결정하라.(3.2, 3.6 참조 예, 100, 200, 400, 600 Hz 등, 그러나 변화가 많은 부분에서는 주파수간격을 작게 해야 한다.)
RC회로에서 측정할 주파수 영
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회로를 기초로 를 추정해 보고 이 값을 실험적으로 구한 값 와 비교해 보시오.
-> ＝１／（2ｐi * 100* 1uF) = 1.47kΩ
E4.2 고주파응답
측정 :
a) node에 10kHz 의 sine 파형을 인가한다. 노드 S, C 간의 전압이득에 3dB 떨어질 때까지 주파수를 올려
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회로의 페이저선도 ]
3. 예비점검
1.그림 45-1(a) 회로에서
= 13V이다.
2. RC직렬회로에서 V와 VR은 V와 I 의 위상각과 동일하다 예
3. 1에서 V와 I의 위상각 θ는 =-67.4
4. 그림 45-1(a) 에서
(a) Z = = 361
(b) θ = =-33.7
(c) VR ==5.0V
4. 실험장비 및 부품
- 기기 : 2
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달아서 측정하면 될 것이다. 다 게이트 전압이 보다 커야 한다.
D. 실험을 통하여 구한 , 그리고 을 사용하여, 바이어스 회로에 대한 회로파일을 완성하고 Spice로 해석하라.
- 1. 실험 목적
2. 사용기기 및 부품
3. 실험 내용
4. 연습문제
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C1을 측정하고 그 값을 표18-2에 기록한다.
555비안정 멀티바이브레이터 회로의 듀티 사이클과 주파수를 계산하고 기록한다.
실험순서 8
오실로스코프를 사용하여 커패시터 양단의 파형과 출력 파형을 동시에 관찰하고 도표1에 그려 넣는다.
실
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일반적인 실험오차 범위내에 있다고 볼 수 있으므로 이번 실험은 비교적 성공적이라 말할 수 있겠다.
참고서적 : 전기전자실험 박건작 외/진영사
디지털회로실험 김사중 외/상학당
회로해석 교보문고
참고사이트 : http://163.180.122.191 경희대학
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회로기판)
와의 접합기술을 말한다.
※ SMD CHIP부품의 경우 보통 사용되어 지는 부품은
3225 : 3.2 X 2.5 mm
3216 : 3.2 X 1.6 mm
20125(2012) : 2.0 X 1.25 mm
1608 : 1.6 X 0.8 mm
1005 : 1.0 X 0.5 mm
0804 : 0.8 X 0.4 mm
0603 : 0.6 X 0.3 mm
정도이다.
8. 보고사항
첨해보는 실험 아직
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실험 1) BJT의 i_B-v_BE 관계
II.2. 실험 2) BJT의 i_C-v_CE 관계
II.3. 실험 3) CE 증폭기 분석
III. 실험 결과 및 분석
III.1. 실험 1) BJT의 i_B-v_BE 결과
III.2. 실험 2) BJT의 i_C-v_CE 결과
III.3. 실험 3) CE 증폭기 결과
IV. 결론
IV.1. 요약
IV.2. 결과
IV.3. 일반적
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실험은 저항이 열을 받았을 때 저항의 값이 증가하는 것을 보여준 실험이다. 원래 실험은 전구와 100짜리 저항을 함께 써야하지만, 실험이 잘 되지 않는 관계로 전구만을 이용해 측정하였다. 실제로 실험 결과를 보면 전압이 높아질수록 저항
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실험은 인코더와 디코더의 원리를 이해하는 실험으로서 인코더의 10진수 데이터를 2진수의 데이터로 변환하고, 디코더는 인코더와의 반대로 2진수를 원래의 상태로 변화시켜 독립적인 서로 다른 출력선으로 변환하는 조합회로이다.
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