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11.07V
0.66V
실험값
이론값
9.62V
10.22V
0.67V
0.7V
5.57V
5.48V
14.54V
15V
8.96V
9.52V
-실험1- -실험2- -실험3- ▲ Outline
▲ Apparatus
▲ Procedure
▲ Result
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실험 고찰
1. 아날로그 VOM 사용시, 저항계의 눈금을 0 근처에서 읽은 값과 무한대 근처에서 읽은 값 중, 어느 것이 더 신뢰성이 있는지 설명하시오.
---> 아날로그 테스트기의 저항눈금을 한번이라도 본 사람이라면 당연히 0옴 가까이 높고
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실험을 용이하게 할 수 있다.
3. 사용기기 및 재료
① 오실로스코프 1EA
② 신호 발생기 2EA
③ Capacitor 104 2EA
④ Resistor 1k 2EA 1.실험제목
2.실험목적
1) 신호발생기의 특징과 조절방법을 습득한다.
2) 신호발생기의 다양한 파형을 오실로스
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실험 결과
LPF, HPF, BPF 설계모습
LPF
저항
캐패시터
인덕터
첨두치
파형
HPF
저항
커패시터
인덕터
첨두치
파형
BPF
저항
캐패시터
인덕터
파형
(3.0KHz)
첨두치
2.79KHz에서 2.40V
파형
(4.5KHz)
첨두치
4.5KHz에서 3.42V 0.707 = 2.42V
파형
(6.0KHz)
첨두치
6.28KHz
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옴의 법칙에 의해서
, ,
이고 , 각 전류의 합인 합성 전류 는 다음과 같다.
즉, 저항이 병렬로 연결된 회로에서의 합성저항의 역수는 각 저항의 역수의 합과 같다. 1. 실험 목적
2. 기초이론
1) 저항의 직렬연결
2) 저항의 병렬연결
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실험이론
전기분해 : 전극을 통해서 전원에서 공급되는 전류에 의해서 일어나는 화학반응. (자발적인 화학 반응에 의해서 전류가 발생하는 화학 전지의 경우와 반대)
전기분해의 원리
① 외부에서 전류를 흘려주지 않았을 경우
- 환원력이
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동요 등에 의한 우연 오차가 있을 수도 있다.
그래도 공통 소스 FET에서 와 이 하는 역할을 알게 되었으며, 보고서 작성중 트랜스컨덕턴스 이 무엇인지 어떠한 기능을 하는지를 명확히 알 수 있었다. 1. 실험결과
2. 검토 및 고찰
3. 토의
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16.46
16.49
16.53
16.62
16.35
13
23.07
22.22
21.32
20.41
19.65
19.77
19.79
19.83
19.91
19.89
15
26.40
25.58
24.69
23.79
23.03
23.05
23.05
23.14
23.21
23.27
<공핍형 MOSFET의 드레인 특성 실험결과표>
(2) 고찰
1) JFET 바이어스와 BJT 바이어스의 차이점을 설명하라.
JFET 바이어스와
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같이 증가함에 따라 증가함을 알아볼 수 있었다. 또 이 감소함에 따라서 전압이득이 감소함을 알 수 있는데, 이는 = 으로 의 감소로 인해 값이 작아지고 전압이득은 이기 때문에 전압이득이 감소하였다. 1. 실험결과
2. 검토 및 고찰
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