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JFET 전압 분배 바이어스에서 소스저항 가 증가하면 어떤 결과가 발생하는가?
전압 분배바이어스에서 이므로 소스저항 가 증가하게 되면 가 작아지게 되고 결국에는 직류바이어스선의 0에 가까워 지게 된다.
4) FET 바이어스 회로에 여러 가지
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. 이득을 계산해서 기록한다. 또한 VGS와 VDS를 측정하여 기록한다. ① JFET / MOSFET
② Enhancement MOSFET
③ Depletion MOSFET
④ 각 FET별 차이점
⑤ 분압기 바이어스
⑥ 자기 바이어스
⑦ MOSFET 바이어스
① 드레인 특성
② 소스 공통 증폭기
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실험 목적
여러 종류의 FET바이어스 회로 동작을 이해.
JFET의 전압 분배기 바이어스 회로의 동작점을 결정.
공핍형 MOSFET의 Zero바이어스 회로의 동작점을 결정.
증가형 MOSFET의 Drain 궤환 바이어스 회로의 동작점을 결정.
바이어스 동작점의
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JFET 증폭기
그림 15의 전압 배분기회로의 경우에는
Z_i = R_1 || R_2 = {R_1 R_2 } OVER {R_1 +R_2 }
그림 15 FET 증폭기 입력임피던스
Z_i
▷교류 출력 임피던스
출력측에서 증폭회로를 본 임피던스는 기본적으로 드레인 소스간의 FET 저항과 바이어스저항
R_
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+로 증가시켜야 한다.
다. 전달특성
3. 실험 기계 및 부품
오실로스코프, 직류 전원 장치, 멀티미터, 전류계
MOSFET : SK45 (MOSFET)
4. 시뮬레이션
n 채널 MOSFET 시뮬레이션 회로도 1. 목적
2. 이론
3. 실험 기계 및 부품
4. 시뮬레이션
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