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MOSFET의 문제인지, 회로 설계의 문제인지 등의 원인 발견을 위해 실제 실험을 진행하며 비교, 검토가 필요하다.
실험방법
<실험 부품 및 장비>
전원 : 독립적으로 가변할 수 있는 직류 정전압원 2대
장비 : 디지털 멀티미터, 0~10mA 직류 밀리
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MOSFET가 뜨거워지면 실험을 중지하라.)
3) 2)에서 구한 데이터를 이용하여 =2.4V일 때의 트랜스 컨덕턴스 을 구하라.
4.2 이미터 폴로워
1) 실험 회로 9-2의 회로를 구성하라. =470Ω이고, =2.5V이다.
2) 를 0V에서 10V까지 0.5V씩 증가시켜 가면서 를 측정
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증폭기 실험을 통하여 전압 이득을 계산해보고 동작에 대해서 공부해볼 수 있는 기회였다. 1. 사용 장비 및 부품
2. 실험 방법 및 결과
2.1 게이트-소스 전압에 대한 드레인 전류의 변화
2.2 이미터 폴로워
2.3 소스 접지 증폭기
3. 결론
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MOSFET의 종류
MOSFET에는 공핍형, 증가형이 있다. 공핍형 MOSFET은 물리적으로 미리 심어진 채널을 가진 구조로 되어 있으며, 증가형 MOSFET의 경우 정상적으로 작동하기 위해 채널을 유기할 필요가 있는 구조이다. 공정 측면에서는 채널이 미리 만
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MOSFET을 이용한 주스위치 Q, 환승다이오드 DF, 출력필터 L 및 C로 구성되어 있다. 동작원리로서는 우선 주수위치 Q가 ON되면 입력으로부터 전류가 L을 통하여 출력으로 흐름과 동시에 L에는 에너지가 축적하게 된다. 다음으로 Q가 OFF되면 L에 축적
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