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공통소스증폭기에서는 VG의 증가에 따른 VD의 감소을 예상할 수 있었으나 공통드레인 증폭기에서는 VS=ID×RS에 의해 입력과 출력이 같은 위상차에 의해 진행되게 된다.
3. 그림 23-1의 회로에서 JFET 순방향 전달컨덕턴스가 증가하면 전압이득은
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회로에서 부하저항 RL 증가하면 전압이득은 어떻게 변하는가?
(a) 증가한다. (b) 감소한다. (c) 변동이 없다.
⇒ 에 의해 분자의 값이 증가함으로 전압이득은 증가한다.
5. 그림 22-1의 공통소스 증폭기의 동작은 바이폴라 트랜지스터의 어느 것과
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소스저항과 병렬로 콘덴서를 달아주면 교류적인 이득은 보상을 시킬 수 있습니다.
BJT와 JFET의 비교
3. JFET 공통 소스 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시뮬레이션 결과 ) 1. 목적
2. 이론
3. JFET 공통 소스 증폭기 P-spice 시뮬
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소스 공통 증폭기
2번 실험의 경우 시뮬레이션 결과에서 도출할 수 있는 AV값이 1 이하가 나왔다. 이는, 증폭기의 설계 의도에 맞지 않는 결과이다. (출력 전압이 입력 전압에 비해 오히려 적으므로) 대체한 MOSFET의 문제인지, 회로 설계의 문제
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전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출
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