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공통소스증폭기에서는 VG의 증가에 따른 VD의 감소을 예상할 수 있었으나 공통드레인 증폭기에서는 VS=ID×RS에 의해 입력과 출력이 같은 위상차에 의해 진행되게 된다.
3. 그림 23-1의 회로에서 JFET 순방향 전달컨덕턴스가 증가하면 전압이득은
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source) = 1/gm
○전압이득은공통소스증폭기와 동일
(Av = gmRd)
공통 드레인 회로
(Common drain circuit)
○공통 드레인 증폭기는
공통소스증폭기(BJT)와 유사
○소스전압이 입력 게이트 전압과
같고위상이 동일⇒소스폴로어
○전압이득은 항상 1보다
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소스 팔로워(source follower)라고 종종 불린다. 입력 신호는 결합 커패시터를 통해서 게이트에 공급되고 출력은 소스 단자에서 얻는다.
Gate-Source 전압 이득을 구하기 위하여 입력 및 출력 전압을 각각 구하면,
를 각각 대입하여 정리하면,
이득은
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공통 베이스 증폭기(BJT)와 유사
낮은 입력저항 Rin(source) = 1/gm
전압이득은 공통소스증폭기와 동일(Av = gmRd)
FET(Fileld-Effect Transistor)이 고입력 임피던스를 갖는 이유
간단히 말씀 드리면 FET의 물리적 구조 때문입니다. 게이트와 드레인 소스가
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드레인 전류 Id에 대한 드레인-소스 전압 Vds,
게이트-소스 전압 Vgs의 효과를 결정한다.
(2) JFET의 드레인 특성을 실험으로 측정한다.
(3) JFET의 특성상의 차이점을 알아본다.
(4) 공통-소스 JFET 증폭기의 이득을
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