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표시방법과 동일하다.
-음수: (1의 보수) +1로 표현한다.
<부호화된 2진 숫자>
5.Simulation
<실험 1>
<실험 2>
<실험 3>
<실험 4>
AND Gate : 7408, OR Gate : 7432, XOR Gate : 7486 1. Title
2. Name
3. Abstract
4. Background
5. Simulation
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회로변수인 전압이나 전류의 비선형함수이기 때문에 각 성분전력의 합으로는 전체전력을 구할 수 없기 때문입니다. 수식으로 표현하자면서 과 이 같지 않는 것으로 표현할 수 있습니다.
6. 고찰
중첩의 원리의 실험데이터를 보면 이론값과 오
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회로망 내의 전원도 제거한 상태에서의 부하단자 사이의 저항값이다.
= 6V
결과적으로 테브닌의 등가회로는 아래와 같이 된다.
3. 실험 준비물
전원장치
0~15V 가변 직류전원<regulated>
측정계기
DMM 또는 VOM
0-5mA 전류계
저항기 (1/2-W, 5%)
330 1
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실험 및 결과 검토
0 출력 1 출력
2 출력 3 출력
4 출력5 출력
6 출력 7 출력
8 출력 9 출력
A 출력 B 출력
C 출력 D 출력
E 출력 F 출력
6. 결론
본 프로젝트를 통해 드-모르간의 정리를 이용 복잡한 논리회로를 간략화하여 간단한 회로로 만들 수 있다
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6.1/home/shkim/G김기철(은곡공고)/1grad2-5.htm
http://myhome.shinbiro.com/~marcus/lecture/2/sup.htm
http://home.yeojoo.ac.kr/~poleman/cir/2/cir2.htm
http://hep3.skku.ac.kr/class3/assistant/Manual/2002-2/실험II_02-회로망정리의검증.hwp 결과보고서
■ 실 험 제 목 : Thevenin & Norton 정리
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멀티 시험기 사용법(계시물,각종저항,다이오드 이용)
기능 3. 순방향 특성회로 제작 및 작동실험
기능 4. 정전압 회로 제작 및 작동실험
기능 5. 스위칭 회로(트랜지스터 기본회로) 제작 및 작동실험
기능 6. 타이머 회로 제작 및 작동실험
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구성하였다.
위 회로를 따라가기 보다 FSM 설계를 따라가서 카르노맵을 만들면 된다. 1. 동기 및 목적
2. 사용한 부품
3. 블록 다이어그램과 플로우 차트
4. 회로도
5. 관련이론
6. 시뮬레이션 및 실험결과 분석
7. 실험 사진(PCB기판)
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정격 전압
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
0
1
1.25
1.6
2.0
2.5
3.15
4.0
5.0
6.3
8.0
1
10
12.5
16
20
25
31.5
40
50
63
80
2
100
125
160
200
250
315
400
500
630
800
3
1000
1250
1600
2000
2500
3150
4000
5000
6300
8000 1. 실험장비 및 부품
2. 실험방법
4. 측정값
5. 결과분석 및 토의
6. 참고자료
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회로
(2) 수위 경보기
(3) IC회로에서 릴레이 구동하기
(4) 어두워지면 점등하는 램프
(5) 수위,단선,빛등 3가지 실험 모듈
(6) 어두워지면 깜빡이는 LED
(7) 문이 열리면 릴레이가 동작하는 시한 타이머
(8) 레이저 지시봉을 이용한 원격 제어
5.
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논리게이트] C = x y + z (x y), S = x y Z
4비트 덧셈기
4. Quartus 설치 -
①
②
③
④
⑤
⑥
⑦
⑧
⑨
⑩
⑪
5. 전가산기
[논리 게이트]
[타이밍도]
6. 4비트 가산기
[논리게이트]
[타이밍도] 1. 실험 제목
2. 실험 목표
3. 관련 이론
4. Quartus
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