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개요
Ⅱ. 전자공학의 발전
Ⅲ. 전자공학의 교과과정
1. 이론과 실무의 균형
2. 교과목의 표준화
3. 교과목의 다양성 제공
4. 적용 가능한 교과과정 제안
Ⅳ. 전자공학과 반도체
1. P형반도체
2. N형반도체
3. 공핍층
Ⅴ. 전자공학과 집
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약간의 오차가 발생했다고 생각한다.두 번 Ⅰ. 개요 (Introduction)
Ⅱ. 이론 (Theory)
Ⅲ. 실험장치 및 실험절차 (Apparatus & Procedure)
Ⅳ. 데이터 및 결과 (Data & Results)
Ⅴ. 오차분석 (Error Analysis)
Ⅵ. 토의 (Discussion)
Ⅶ. 참고문헌 (References)
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. 따라서 전류가 잘 흐른다. 하지만 (+->0)로 변할 Ⅰ. 개요 (Introduction)
Ⅱ. 이론 (Theory)
Ⅲ. 실험장치 및 실험절차 (Apparatus & Procedure)
Ⅳ. 데이터 및 결과 (Data & Results)
Ⅴ. 오차분석 (Error Analysis)
Ⅵ. 토의 (Discussion)
Ⅶ. 참고문헌 (References)
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전압은 대략 원 화성전압의 절반정도를 적용한다. 이것은 슬러그 안의 높은 누설전류지역으로 부터 망간을 제거하고 유전체층의 취약부를 복구하여 막는다.
3.4.6. 외부 접촉층 (External contact layers)
스트링거는 다음에 카본에 침적한다. 그리고
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편차를 두어 Pair로 사용한다. 이로 인해 동일 형명으로 1000가지나 세부 구분한 경우가 있으므로 Maker의 상세한 Caltalogue를 입수해야 한다.
특성 Graph 비교
Application
좋은 사람 되도록 노력하겠습니다...^^* 1. 개요
2. 기본이론
3. 심화학습
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, 문선당, 2011, pp. 223-238. 1. 개요
1.1. 목적
2. 시스템 구성
2.1. 과제1
2.1.1. schematic 및 설정
2.1.2. simulation 결과-(L=0.2mH, C=30uF)
2.1.3. simulation 결과-(L=0.3mH, C=17.36uF)
2.1.4. simulation 결과-(L=0.1mH, C=52.08uF)
2.1.5. 이론값 및 결과분석
3. 참고문헌
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전압 υA
피크전압 υB
υBvalley
다이오드 도통시간
υripple
실험치
이론치
1㏀, 100uF
8V
9.6V
8.8V
208uS
0.8V
9.6mV
10㏀, 100uF
9.6V
7.6V
7.0V
250uS
1V
80mV
1㏀, 200uF
8V
7.6V
7.0V
260uS
1V
48mV
측정
a) 오실로스코프로 노드 A와 B의 파형을 획득하시오. 노드 A, B의 피크전
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3단자 레귤레이터는 내부에서 제너 다이오드를 사용하고 있다.
참고문헌:http://home.sunchon.ac.kr ■ 제너다이오드(Zener Diode)
■ 반도체 내의 전기적 특성
■ 다이오드의 개요
■ 다이오드의 종류
■ 정전압 다이오드(Zener Diode)
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단위시간에 방출되는 에너지는 다음과 같다. Ⅰ. 개요 (Introduction)
Ⅱ. 이론 (Theory)
Ⅲ. 실험장치 및 실험절차 (Apparatus & Procedure)
Ⅳ. 데이터 및 결과 (Data & Results)
Ⅴ. 오차분석 (Error Analysis)
Ⅵ. 토의 (Discussion)
Ⅶ. 참고문헌 (References)
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있는 이상의 전류가 걸려 견디지 못하고 손상된 것으로 판단된다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 순서
(1) LED 특성
(2) 제너 다이오드 특성
(3) 제너 다이오드 조정기
(4) 발광 - 제너 다이오드 조합
5. 결론 및 고찰
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