|
직류를 TRANSISTOR, IGBT 등의 반도체 소자를 이용하여 PWM 제어방식에 의해 DC 전압을 임의의 교류 전압 및 주파수를 얻으며, 또한 TURN-ON 및 OFF시 주소자에 인가되는 과전압과 스위칭 손실을 저감시키거나 전력용 반도체의 역바이어스 2차 항복 파
|
|
|
고전압 걸어주기
음극(K)과 양극(P)사이에 직류 전압을 0V 부터 천천히 증가시켜 준다. 약 100V 이상부터 갑자기 전자 선속의 궤적이 눈에 보이기 시작한다. 전압의 증가에 따라 전자 속도가 증가하고 궤적이 가늘고 선명해진다. 전자 크기는 전
|
|
|
전압원의 내부저항은 0으로 가정한다. R1 = 45Ω, R2 = 150Ω, RL = 47Ω이다. 노튼 등가회로에서 다음의 값을 구하라.
(a) IN = 0.47A (b) RN = 34.6Ω (c) IL = 0.199A
4. 실험 준비물
(1) 전원장치
0-15V 가변 직류전원(regulated) 2개
(2) 측정계기
VOM 2개 또는 DMM
(3) 저
|
|
|
전압원으로 사용할 수 있다.
3. 연습문제
3.1 그림 4-13의 회로에서 , , , PIV, , ％리플을 계산하여라.
3.2 그림 4-14의 회로에서 , , , PIV, , ％리플을 계산하여라.
4. 참고문헌
전자통신연구회 편, 『전자통신기초실험』, 도서출판 상학당, 2009, pp169-173
|
|
|
고전압의 송전선에서도 코로나를 일으키는 경우가 있는데, 이것이 라디오 장애를 일으킨다. 이 장애를 방지하기 위해 전선이나 애자의 구조를 개량하여 효과를 얻고 있다.
(4) 불꽃방전 [spark discharge]
기체 내에 넣은 전극에 고전압을 걸었을
|
|
|
전압은 50V다. 10Ω의 저항에는 100V의 전압이 걸린다. 병렬회로에서 전압이 100V라면, 10Ω의 저항에 흐르는 전류는 10A고, 20Ω의 저항에는 5A의 전류가 통과한다.
V = IR
⑥ 기본적인 전자전기 회로도 및 기호
: 직류전압원 : 교류전압원 : 콘덴서 :
|
|
|
직류 전원(regulated)
측정계기
DMM 또는 VOM
0-10mA 밀리암미터
저항기(1/2-W, 5%)
100-Ω 7개
기타
SPST 스위치
4. 실험과정 Pspice로 구현 실험 21. 최대 전력전송
1. 실험 목적
2. 관련이론
3. 실험 준비물
4. 실험과정 Pspice로 구현
실험 22. 망
|
|
|
고전압 공급
전기집진기의 집진효율은 집진공간에 공급되는 전계의 세기에 비례한다. 전압이 높으면 집진효율은 향상된다. 연속적인 높은 직류전압의 공급은 연소개스중의 분진을 잘 이온화시키지만, 집진판에 붙은 분진의 응집력 또한 크
|
|
|
고전압 충전체 가까이에 있는 어스 철창식에 접촉했을 때 검전기가 동작하는 경우가 있 다. 이것은 그림 3.14에서처럼 검출부가 고전압의 유도를 받고 선단의 접촉부에서 어스 로 유도전류가 흐르기 때문이다. 이러한 경우에는 검출부를 충전
|
|
|
전압원 V = 5V이다.
A) I = 5 / 9000 = 0.0006 = 0.6mA
V₁ = 0.0005×1000 = 0.6V
V₂ = 0.0005×3300 = 1.98V
V₃ = 0.0005×4700 = 2.82V
+V₁-
+V₂-
V
+V₃-
그림 6-5 KVL 실험을 위한 회로 실험준비보고(1장)
실험준비보고(2장)
실험 3. 직류전압의 측정
실험 4. 옴
|
|
메뉴펼치기
