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12장 테브낭 정리
실험 목적
1. 선형저항성 회로망을 테브낭 등가회로로 변환한다.
2. 여러 가지 부하저항의 효과를 비교함으로써 <목적1>의 회로망과 테브낭 회로가 등가인 것을 증명한다.
이론요약
• 테브낭 정리
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전자 (Hongsik jeong) 자료
(2) 인터넷 과학신문 사이언스 타임즈
(3) 서울대 반도체 특강 자료 (삼성전자)
(4) 이화여자 대학교 전자공학과 PRAM PPT 자료
(5) 고광석 (상변화 기술분석)
(6) 상변화 메모리 소자설계용 요소기술 개발에 관한 연구 ( 과학
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전자공학과), special report/bio nano
- 'Preparation and characterization of colloidal Nanosilver Sol in Laponite' hwp 문서, 나노넷 http://www.nanonet.info/ 서론
본론
◉ quantum size effect (양자크기효과)란?
◎ quantum size effect에 의한 광학적 특성
◎ quantum size effect
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<공학박사 백승호 저>(P216 ~ P218, 광탄성 정의, 이론, 원리) 1. 광탄성의 정의 및 원리
1.1 광탄성의 정의
1.1.1 투과형 광탄성 장비
1.1.2 반사형 광탄성 장비
1.2 광탄성의 원리
2. 광탄성 이론 정리
3. 출처 및 참고자료
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전자공학과 디지털 회로 설계 황선영 교수님 강의 자료
McGraw-Hill, Fundamentals of Digital logice with VHDL design, Brown&Vranesic, 2/e
아진, 실습으로 배우는 VHDL, 이강/장경선, 증보판
http://asicfpga.com/site_upgrade/asicfpga/pds/dsp_pds_files/mul.ppt 1. 제목 : 고속 동작
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