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전압의 변동이 소자의 성능에 미치는 영향을 관찰하면서, 회로 설계 시 주의해야 할 점들을 인식하였다. 마지막으로, 실험을 통해 얻은 데이터와 특성을 바탕으로 MOSFET의 응용 가능성 및 교훈을 도출할 수 있었다. MOSFET는 현대 전자 회로에서
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회로도를 가지고 시뮬레이션 한다.
미분회로
적분회로
◈참 고 문 헌◈
http://www.eleparts.co.kr/html/p_index/cap.html 캐패시티에관한 내용
http://user.chollian.net/~kimjh94/junja/junja_7/junja7-2.html
Pspice 와 함께하는 기초전자 전기공학실험 홍순관 박진홍 이영석
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전자 공학, 도서출판 동광
성균관대학교 출판부(2008) - 이공학도를 위한 물리학 실험
성백능 외 번역 - 기초물리학, 이우출판사
존 니콜슨 지음, 정상률 옮김(2004) - 에너지 이야기, 창조문화
중앙기상대(1995) - 한국의 태풍
Bernard Cohen의 저서, 조
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실험을 하기 때문에 실험하는데 필요한 이론값을 구하는 식들은 그리 어렵지 않게 구할 수 있었다. 그리고 실제 실험을 해보지는 않았지만 정전류 회로에서 출력되는 전류는 인가되는 DC전원의 값에 의해 voltage가 saturation 되지 않는 부하전압
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회로가 달라지기 때문이다.”라는 것을 찾았다. 다양하고 수많은 회로의 법칙이 너무나도 흥미로운 것 같다.
7. 인용문헌
임승하 외 3인, “전자기초실험”,남두도서, 2008, 122p ~ 126p 1. 실험의 목적
2. 관련이론
중첩의 원리를 적용하기
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전압 Vin과 입력 신호 전류 iin의 비로 정의된다.
Rin = Vin / Iin
그러므로 RiN은 실험에서 Vin과 Iin을 측정하여 식(15-1)에 대입하면 얻을 수 있다. 에미터 공통 증폭기의 입력 임피던스는 입력 회로에 축퇴 귀환을 시킴으로써 증가될 수 있다.
2. 출력
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실험 장비와 측정 기술의 중요성을 다시금 느꼈다. 이번 실험은 이론적 지식과 실제적인 경험을 결합하여 MOSFET에 대한 이해를 심화시키는 데 큰 기여를 했다. 이러한 경험은 앞으로의 전자 회로 설계와 분석에 많은 도움이 될 것이라고 생각
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전자 회로 설계 능력을 키울 수 있었다. 이러한 경험은 향후 전자공학 기초에 대한 이해를 높이고, 더 나아가 다양한 전자 회로 설계에 기여할 수 있는 기초를 다지는 데 큰 도움이 되리라 확신한다. OP 앰프를 활용한 증폭기 실험을 통해 전자
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회로해석 - JOHNSON
② 기초전기전자공학실험 대한전자공학회 교학사 2006
③ (만들면서 배우는) 전자기초 - 안희백
④ 전자부품을 활용하자 - 김보연
⑤ Spice 기초와 활용 (ver 16.0) 최평 외 복두출판사 2008
⑥ http://www.alldatasheet.co.kr 1. 설계 배
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전압강하를 Vr, Vl 이라고 하고 전체의 전압강하를 v라 하면 KVL에 의하여
여기서 Vr, Vl과 i와의 관계는
이것들을 에 대입하면
와 같이 표시할 수 있다.
참고문헌
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실
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