|
.hwp
1. 주 제
2. 목 적
3. 관련 이론
4. 설계 순서
5. 소자 선택
6. 회로도
7. Simulation
8. 결과
9. Data Sheet
레귤레이터 제안서[1]
학과 : 전자공학과
명제
설계목적
부품사용
관련이론
블럭도
설계순서
결과확인방법
|
|
|
2. 실험에 필요한 재료와 주의사항
3. 설계 실습의 단계별 계획
4. Op Amp의 기본 원리
5. 성능 측정을 위한 실험 절차
6. 통합 회로의 설계 과정
7. 결과 분석 및 해석
8. 문제점 및 개선 방안
9. 결론 및 향후 연구 방향
10. 참고 자료 목록
|
|
|
회로에 공급된 전압과 회로 내의 각 소자에서 전압강하의 총합은 같다.” 이다.) 실험을 통하여 이해를 하고, 측정한 값과 계산한 값이 같은지 확인하는 실험이다.
이 실험을 하기전에 전자학 시간에 배운 공식을 가지고 이번 실험 회로도의
|
|
|
전압 VP와 비교해 본다.
2) 전파 정류 특성 측정
(1) T2 T2\'을 주어진 연결선을 이용하여 연결하고 (전파정류:다이오드 두 개를 동시에 사용) 오실로스코프의 BNC 코드 (PROBE,탐침)의 검은색 집게를 G에 연결한다.
(2) 위의 반파 정류 특성 실험 과정(3
|
|
|
전압과 역방향 전압 특성을 비교하는 실험에서, 실험 결과가 예상보다 낮거나 높은 경우 사후 실험 보고서는 이러한 차이가 발생한 이유를 분석하고, 회로의 설명이나 다이오드의 특정 속성에 대해 고찰할 수 있는 기회를 제공한다. 또한, 사
|
|
|
전압이란?
- 전압강하란?
- 다이오드의 직렬구성
- AND게이트
- 정논리란?
- 브릿지 회로란?
* 문턱전압 이란?
P형 반도체는 +, 즉 정공이 많은 반도체이지만, 물체의 극성으로 따지자면, 중성이다. 한마디로 내부 분자결합구조가 전자가 결합
|
|
|
전자 기초 실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm 1. 다이오드
(1) n 형 반도체와 p 형 반도체
(2) pn 접합과 정류 회로
(3) 다이오드의 전류 전압 특성
(4) 다이오드
|
|
|
회로 모두 시간 상수는 시스템의 반응속도에 깊은 영향을 미친다. 시간 상수가 작을수록 회로의 응답이 빠르며, 반대로 클수록 응답이 느리다. 이러한 분석 결과는 전자기기 설계 시에 회로의 시간적인 특성을 고려해야 함을 시사한다. 단계
|
|
|
실험 예상 결과
♣ 전원장치 : 2개의 저전압용 dc 전원
♣ 장비 : 2개의 멀티레인지(multirange) 마이크로 밀리전류계(또는 20,000Ω/W VOMS); EVM
♣ 저항 : 100Ω과 4700Ω 1/2-W
♣ 반도체 : 소켓형 2N2904
♣ 기타 : 2500Ω과 5000Ω 2-W 포텐쇼미터 ; 2개의 on-off
|
|
|
전자공학을 공부하는 데 있어서 매우 중요하다. 실험실 환경에서의 경험을 통해 사용자들은 이론적인 지식을 실제 응용으로 연결할 수 있는 능력을 기르게 된다. 결국, 오실로스코프와 함수발생기를 잘 활용하는 것은 전자 회로 설계 및 분석
|
|
메뉴펼치기
