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이해하는 데 중요한 역할을 했다. 이를 통해 전기 회로의 신뢰성과 정밀도 향상을 위한 추가 실험의 필요성을 느꼈다. 결국 이 실험은 이론과 실제 간의 간극을 줄이는 데 중요한 경험이 되었으며, 전기적 원리와 그 응용 가능성에 대해 깊이
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도 같이 증가하는 것을 볼 수 있었고, 반대로 공진 주파수를 지나 더 높은 값을 향해 갈수록 또 전압이 작아지는 것도 확인할 수 있었다.
처음에 실험의 의미에 대해서 계속 생각을 해보았는데, 무슨 말인지 몰랐지만 차근차근 의미를 해석을
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지막 실험을 하고 나서 노튼의 등가회로에 대해서 확실히 개념이 잡혔다. 이래서 교수님께서 수업전에 하신 말씀이 “ 노튼 등가보다 테브넌 등가회로가 훨씬 많이 쓰인다” 라고 하셨는데, 진짜 해보니깐 그 해주셨던 말씀이 이해가 간다.
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증폭기의 실험
회로
실험B. 교류신호의 증폭이득 측정.
위의 회로를 이용하여 파형발생기로 분터 1㎑의 사인파를 발생시켜서 입력신호
{V}_{i}
에 가한 다음
오실로스코의 두 채널로 입력신호
{V}_{i}
와 출력신호
{V}_{o}
를 동시에 관찰한다.
파형
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실험을 1시간정도 늦게 시작한 관계로 하지 못하여 컬렉터 접지 증폭기의 특징만 언급합니다.
컬렉터 접지증폭기는 입력전압과 출력전압이 동일하고, 입력저항은 크며, 출력저항은 작기 때문에, 출력버퍼로 이용된다. 출력버퍼는 회로와 회
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증폭기의 이득에 영향을 미치는 파라미터에 대해 설명하라.
☞ : 이므로 컬렉터 전류의 값에 따라 값의 변화가 있으며
값이 커지면 전압이득은 작아지며 작아지면 이득은 커진다.
☞ : 은 보통 수백이상 이므로 개방회로로 대치
☞ : 의 영향
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증폭기로 변해가는 과정에 있고, 적분기에서는 설정한 주파수가 임계주파수보다 작으므로 완벽한 반전증폭기가 발생되었다.
■ 결과에 대한 고찰
이번 실험에서는 지난 실험과 비슷한 진행과정을 통하여 결과값을 도출해 내었다. 회로도를
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실험이론 ………………………………… 3P
3. 필요부품 및 기기 ……………………… 3P
4. 실험순서 ……………………………… 3~4P
5. LPF, HPF란? ………………………, , 5P
6. 실험과정 ………………………………… 6P
7. 소감 및 고찰
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선형연산증폭기
1. 실험 방법
(1) 반전 증폭기
20k, 100k
<반전증폭기 회로>
<반전증폭기 simulation>
100k, 100k
<반전증폭기 회로>
<반전증폭기 simulation>
(2) 비반전 증폭기
20k, 100k
<비반전증폭기 회로>
<비반전증폭기 simulation
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실험단계 (4)의 실험결과가 트랜지스터의 차단동작영역 동작특성과 일치하는지 비교하여라.
3) 이미터 접지증폭기의 포화 동작영역 실험
(1) 그림 3-9의 트랜지스터 이미터 공통회로를 이용하여라.
(2) 컬렉터와 이미터 사이의 전압 V(CE) 전압을
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