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그리시오.
결과 보고서
1.제목 : 반파정류회로
2.회로도
3. 실험결과
(1) 입/출력 파형
(2) 입/출력 데이터
반파정류회로
계산값
측정값
입력
첨두값 pi
10[V]
10[V]
주파수
60[Hz]
59.95[V]
출력
첨두값
5-0.7=4.3[V]
4.32[V]
평균값
=1.37[V]
1.26[V]
주파수
60[Hz]
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회로를 구성하여 보았는데 여기서 이 형태가 나타났다. 그림 28-3을 보면 0.7V부근에서 매우 급격하게 기울기가 증가하는 것을 볼 수 있다. 이 점에서 저항이 매우 작은 회로는 다이오드의 특성을 잘 살펴볼 수 있다는 것을 확인하였다.
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회로의 주파수가 높아져야 한다. 주파수가 높아지면 의 미분항 에 비해 가 상대적으로 작아진다. 따라서 를 무시할 수 있다.
5. 참고문헌
- 기초전자실험 with PSpice
P.233-246 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
3. PSpice 시뮬
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실험 방법
1) 그림 5.1과 같이 회로를 결선하고 함수발생기로 정현파를 인가하여 신호의 크기를 로 맞춘 후, 주파수를 100Hz부터 1MHz까지 변화시켜가면서 커패시터 양단의 전압 을 오실로스코프로 측정하시오. 또한, 주파수 변화에 따른 의 변화
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실험 ③
저항값 (평균)
-0.425Ω
* 검토 및 토의 사항
내부 저항을 구하기 위해 좌측 회로에서 전압분배법칙에 따라 에 걸리는 전압 이다. 이 식을 내부저항 에 대하여 정리하면 가 되고 이 식을 통해 를 구하여 평균값을 구하니 평균 저항값이 -0.
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실험에서는 중첩의 원리에 대해 다루어 보았습니다.
중첩의 원리는 다수의 독립 전원을 갖는 복잡한 회로를 해석하는 데 있어서 독립 전원의 영향을 한 번에 하나씩 고려해서 값을 구하기에 아주 용이한 원리입니다. 따라서 중첩의 원리를 적
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회로에서 충분히 실험을 통해 증명할 수 있다.
실험결과 분석 및 토의
●이번 실험은 정상상태의 직류 회로망에서 의 작용과 에 걸리는 전압이 지수함수로 증가함을 실험을 통해 직접 확인해보았고, 또 직렬 및 병렬 연결된 의 전체 용량에 관
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1. 실험목적
- 다이오드의 한 방향으로만 전류를 흐르게 하는 기본 특성을 이요하여 정류회로들을 구성하고 실험을 통하여 특성을 확인하고자 한다. 또한 정류회로 중 반파 정류회로뿐만 아니라 전파 정류회로 및 브리지 정류회로의 특성도
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1. 실험 개요
- [실험11]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기를 실험하였다. 이번 실험은 나머지 두 가지 증폭기 구조 중의 하나인 소오스 팔로워에 대한 실험이다. 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으
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9-3]에 기록하시오.
- 예비 보고서 때와는 다르게 RD 저항을 short 시키지 않고 100ohm의 값을 주어서 실험을 진행하였다. 다음의 회로는 브레드 보드에 구성한 본 실험의 회로도의 모습이다. 1. 실험 과정 및 결과
2. 실험 결론 및 분석●고찰
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