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전압이 1.5V의 37%인 0.555V가 될 때까지의 방전시간을 측정한다.
8) 저항 블록과 축전기 블록을 교환하여 실험을 반복한다.
9) 교재의 그림과 같이 직렬 연결 회로를 구성한다.
10) 1~8까지의 실험과정을 반복한다.
11) 교재의 그림과 같이 병렬 연결
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1. 목적
인덕터(inductor)와 저항이 직렬로 연결된 회로의 과도응답(transient response)을 실험하고 이해한다.
2. 실험준비물
▪ DMM
▪ 오실로스코프
▪ 함수발생기
▪ 탄소저항 : 1kΩ, 5%, W 1개
▪ 인덕터 : 10mH, 5% 1개
▪ 점퍼선
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직렬로 연결하고, 노치위에 접촉자를 이동시켜 서 저항값을 변화시키는 가변저항기.
- 회로 전류가 큰 곳, 예를 들면, 철도용 전동기에 직렬로 넣는 경우 가 있음.
- 노치식에서 저항값의 변화는 계단적으로밖에 할 수 없음.
- 저항선의 재료는
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연결되어 있을 때, 리플의 차이를 보이게 되는 이는 부하로 인한 시정수의 값의 차이로 인해서 발생하는 것이다.
3) 직렬 반파 전압 체배기 실험회로에서 C1을 개방하였을 때와 단락하였을 때 각각 그 DC 출력에 관한 영향을 설명하시오.
C1 개
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연결된 캐패시터의 총캐패시터를 구하는 방법과 직병렬연결된 저항의 총저항을 구하는 방 법을 비교하시오.
-> ① 직렬 연결한 캐패시터의 총캐패시턴스를 구하는 공식은
② 병렬연결한 캐패시터의 총캐패시턴스를 구하는 공식은
=C1+C2+C3 `
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표에 기록한다전지의 수
1개
2개
나침반 바늘이 움직인 수
. 직렬로 연결한 전지의 수에 따라 바늘이 움직인 각의 크기는 어떻게 되는가? - 커진다
⑥ 나침반에 전선을 한번 감고, 전선에 전지, 전구, 스위치를 연결하여 회로를 만든다.
⑦ 나침
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회로(NOT)
2. NAND 회로
3. NOR회로
Ⅱ. 게이트와 NAND(부정 논리곱 회로)게이트
1. N입력 NAND 게이트의 모든 입력을 연결시켜서 1 입력 NAND 게이트를 만들면 이것이 곧 NOT 게이트가 된다
2. NAND 게이트에 NOT 게이트를 직렬로 연결하면 AND 게이트와
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회로 내에서 전압들의 대수적 합은 0이다*
-V1 V2 V3 V4 + V = 0
3. 실험 준비물
- 전원장치
* 0-15V 가변 직류전원 (regulated)
- 측정 계기
수량에 대해서는 실험과정의 참고사항을 참조할 것.
* DMM 또는 VOM
* 0-10mA 밀리암미터
- 저항기 (1/2-W, 5%)
* 330-Ω 1개
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회로
단락된 스위치
개방된 스위치
소자저항
0(zero)
무한대
소자전류
애노드에서 캐소드로
외부저항과 전압에 의해 제어
0(zero)
애노드-캐소드 전압
0(zero)
외부인가 전압과 동일
3. 실험
3-1 실험 절차
1. 위의 그림 1-3의 회로를 구성한다.
2. 순방
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직렬 회로 실험에서 RT의 저항오차가 가장 크게 나왔는데, 그 이유는 브래드보드를 연결하는 선들이나 저항이 전부 직렬로 연결되면 등가 저항은 각각의 저항의 합으로 계산되기 때문에 작은 저항들이 모여서 비교적 큰 오차를 만들어 낸 것
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