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트랜지스터기초, 기다리 Ⅰ. 개요 Ⅱ. 터널다이오드 트랜지스터의 동작(작동) Ⅲ. 금속산화막반도체 트랜지스터의 동작(작동) 1. Depletion MOS FET 2. Enhancement type Ⅳ. 이미터 트랜지스터의 동작(작동) Ⅴ. 고전자이동도 트랜지스터(HEM
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  • 등록일 2013.07.23
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실험 2. PSPICE Simulation 1) 실험1 바이어스 전류 및 전압 분석 : 다음은 각 트랜지스터에 인가되는 전압 및 흐르는 전류에 대한 시뮬레이션 결과를 나타낸 값이다. 이것을 통하여 DC analysis를 할 수 있다. 수정전 회로도에 대하여 Ideal current source로
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  • 등록일 2013.07.01
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기초공학실험 한국해양대학교 <방광현, 조종래, 최형식, 도덕희> * 신편 재료역학 형설출판사 <김희송, 이춘재, 현동훈> * http://bint.kr/110003160542 (인장시험) * http://100.naver.com/100.nhn?docid=358300 (탄성한도) * http://100.naver.com/100.nhn?docid=174739 (
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  • 등록일 2009.08.31
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증폭기에서 교차 일그러짐은 언제 일어나는가? (a) 두 트랜지스터가 차단영역에 바이어스되었을 때 (b) 두 트랜지스터의 베이스-이미터 접합이 순방향 바이어스되지 않았을 때 (c) 둘 다 이루어졌을 때 ⇒ 이러한 Crossover Distorsion(교차 일그러짐)
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소음과 전기 잡음과의 관계 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ 5 2.2. 4 전기 잡음에 대한 대책 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ 5 2.2. 5 전기 잡음의 억제 및 제거방법 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ 6 2.3 예비문제 ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ 6
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공통베이스 증폭기의 출력신호는 입력신호와 위상차이가? (a) 0° (b) 45° (c) 90° (d) 180° ⇒ 공통베이스 증폭기에서 입력은 이미터단자에서 들어오고 출력은 컬렉터단자에서 나간다. 결국 컬렉터에서 이미터 쪽으로는 한방향의 전류가 흐르게
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다음과 같이 전압 증폭률이 생기는 것을 확인할 수 있다. 또한 위 전압 파형을 보게 되면 아까 말했듯이 전압의 위상이 180도 바뀌는 것도 확인 할 수 있다. 3. 실 험 과 정 4. 실 험 결 과 사항 5. 예비보고 사항 문제 6. 검토 및 논의
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  • 등록일 2011.11.24
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몇 배가 되는 것을 이론으로는 대수롭지 않게 여겼는데 눈으로 직접 보니 신기했던 것 같다. 그리고 교수님!!! 에어컨쪽 분단 뒤에서2번째 줄 함수발생기 이상해요~!!!! 3.1 목적 3.2 해설 3.3 예비문제 3.5 실험분석 실험 후 느낀 점
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  • 등록일 2013.02.22
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. 그래도 같은 상황이 반복되어 확인해보니 장비문제였다. 다음 실험 때는 장비 문제없이 바로 실험결과를 얻을 수 있으면 좋겠다. 힘들당 ㅠ.ㅠ 7.1 목적 7.2 해설 7.3 예비문제 7.5 실험 내용 7.5 실험분석 7.6 연습문제 실험 후 느낀 점
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  • 등록일 2013.02.22
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트랜지스터는 음계 발생회로에서 생긴 구형파를 전력 증폭하여 스피커를 구동하게 하는 역할을 한다. 즉 실험 시간에 다룬 음성 증폭기 역할을 하게 되고 CLASS A증폭기라고 할 수 있다. 트랜스, 즉 출력 변압기는 스피커의 낮은 임피던스와 증
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  • 등록일 2005.11.28
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