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개요
Ⅱ. 터널다이오드 트랜지스터의 동작(작동)
Ⅲ. 금속산화막반도체 트랜지스터의 동작(작동)
1. Depletion MOS FET
2. Enhancement type
Ⅳ. 이미터 트랜지스터의 동작(작동)
Ⅴ. 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)의 동작(작동)
참고문헌
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트랜지스터를 구동시키기 위해선 아주 작은 전압이 필요하고 또 그 전압에 따라 작동 하는 기능이 틀려지게 되고, 그것이 이번실험의 목적인 이미터 바이어스된 트랜지스터의 전압과 전류를 확인 하는 것이다.
큰 맥락으로 실험의 이해를 하
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트랜지스터, PNP 트랜지스터
3. 실험이론
- 반도체 트랜지스터(Transistor)가 작동하기 위해서 순서를 따라 진행한다. NPN 의 동작 순서는 다음과 같다.
1) 베이스로 유입된 바이어스가 이미터로 흘러나간다. 이것을 ib라고 한다.
2) ib가 흐르고
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트랜지스터, PNP 트랜지스터
3. 실험이론
- 반도체 트랜지스터(Transistor)가 작동하기 위해서 순서를 따라 진행한다. NPN 의 동작 순서는 다음과 같다.
1) 베이스로 유입된 바이어스가 이미터로 흘러나간다. 이것을 ib라고 한다.
2) ib가 흐르고 난
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동작이 빠르며
4. 고장이 적고
5. 적은 전기로 작동
위와 같은 5가지의 이유로 인해 발명됨
트랜지스터의 구성요소
이미터(emitter) : 반도체 중 작은 쪽,
무언가를 내보낸다는 뜻.
베이스(base) : 세 반도체중 가장 얇고 가운데 있
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