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증폭기로 사용하기 위해 triode 가 아닌 saturation mode로 동작 시키기 위해서는,
값을 변화시키면 된다. = -2V => -1V 이렇게 되면 가 감소하므로 가 증가한다. 의 증가 폭()이 의 증가 폭보다 크므로 전체적으로 가 증가하게 된다. 반면에 는 값이 감
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증폭기의 규격, 목표치인 CMRR값 20dB이상의 값을 최종적으로 도출
하는 회로를 설계 하였다.
(2) 고찰
먼저, MOSFET에 대한 지식이 많이 부족하여, 처음 설계 진행에 많은 장애가 있었고, 내가 알고 있었던 or-cad 기능만으로는 설계에 어려움이 있
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1. Net List
* SPICE DP #3
* Circuit
R1 1 4 150
R2 1 3 2000K
R3 3 0 1000K
RL 5 0 1K
C1 2 3 25u
C2 4 5 25u
Vdd 1 0 9
Vs 2 0 sin(0 0.05 1K 0 0 0)
M1 4 3 0 0 2N7000 L=1u W=200u
* Analysis
.op
.tran 10u 10m 0
.let tran Vin=RMS(V(2))
.let tran Vout=RMS(V(5))
.let tran Vgs=RMS(V(3))
.let tran Vds=RMS(V(4))
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증폭기의 전압이득에 미치는 영향이 작아서 안정된 전압 이득을 얻을 수 있다.
공통드레인 증폭기
소오스 전압이 의 차이를 유지하면서 게이트 전압을 따라간다.
소오스 팔로워(source follower)라고도 한다.
입력전압과 출력전압은 동일한 위
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MOSFET을 이용한 선형증폭기는 전압을 증폭시킨다.
고찰
이번실험은 MOSFET을 통한 전압의 증폭에 대해 알아보는 실험이었다. 실험 결과는 트랜지스터를 이용한 선형증폭기의 그래프와 흡사했는데 차이점은 트랜지스터를 통한 선형증폭기는 전
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