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전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
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[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출
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전류를 비교해서 나오게 되어 나오는 값인 전류전달률은 실험상 0.9-1.0의 값을 가지게 되었는데 이것은 실제 이론상 값인 0.9-1.0과 일치하다는 것을 확인 할 수 있었다. 실험 4. 트랜지스터 특성 I (결과 레포트)
3. 실 험 과 정
4. 실 험 결
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증폭기의 바이어스와 증폭도
15장. 이미터 접지 증폭기의 임피던스, 전력 및 위상
17장. 이미터 폴로워(컬렉터 접지 증폭기)
18장. 트랜지스터 증폭기의 부하선 분석
19장. 종속접속 증폭기
23장. 접합형 전계효과 트랜지스터와 그 특성곡선
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전자회로실험 P.85~93
데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.co.kr/ 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 시뮬레이션 준비물
3-2 시뮬레이션 과정
3-3 시뮬레이션 결과
4. 실험
4
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차이를 보일 수 있음)
그림 4-4
Schematic
Vo
Reference
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
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