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gate oxide
이렇게 축소를 한없이 할 수 있겠는가 라는 의문이 나온다. 여기에는 몇 가지 한계가 있는바 우선 gate oxide 두께는 20 Å 이하가 되면 carrier가 직접 tunneling되어 capaticive coupling이 깨지게 된다. S/D 영역과 gate가 hotelectron Limits of a Si-tra
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결정한다.
ZnO 배리스터는 일반적으로 전압 서지 흡수 소자로서 폭넓게 이용되고 있다. 1988년을 기준으로 하여 거의 20억개의 배리스터가 생산되었다. 목 차
1. 배리스터(varistor)의 정의
2. 배리스터(varistor)의 특성 및 역할
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특성을 마이크로파 발진에 응용
6.MES(쇼트키)다이오드: 금속과 반도체의 접촉 특성을 응용
7.발광(LED)다이오드: 발광 특성을 응용하여 광 센서로 사용
8.수광(포토)다이오드: 광검출 특성을 응용하여 광 센서로 사용
9.배리스터 다이
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커뮤니케이션 / 도복늠 저 / 정담미디어 / 2016 리더십 특성이론
I. 리더십의 전통적 자질이론
II. 리더십 특성의 후기이론
1. 신체적 특성
2. 사회적 배경
3. 지성
4. 성격
5. 과제 관련 특성
6. 사회적 특성
* 참고문헌
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특성은, 전류와 전압의 관계가 옴의 법칙에 따르지 않고, 저항치가 전압에 따라 급격하게 변화하는 특성을 가진다.
★기본원리
제너다이오드 알기
일반적인 다이오드는 항복영역(breakdown region) 또는 항복전압 에서 파괴되기 때문에 이 영역
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