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화학적 연마 : 산욕(Pickling)
산 용액 (Acid)내에 주조체를 넣어 금속 표면의 산화막을 제거 하여 금속고유의 색을 띠게 하는 과정
Materials : 50%염산(hydrochloric), 황산(sulfuric),인산(phosphoric), 질산(nitric acid), 불화수소산(HF)
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기계적연마(CMP)장치의 개발에 적극 나서는 한편, 국내 소자업체들과 공동으로 300㎜용 장비개발과 시험평가에 나섬으로써 공정분야기술 및 노하우 축적에 많은 성과를 올리고 있어 300㎜장비 상용화 시점을 크게 앞당길 것으로 기대되고 있다.
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기계적 연마 개념 및 도입 목적
CMP 공정의 개략도
- CMP 공정의 기본 원리
- CMP 구성 및 공정 원리
- CMP 구성 요소
세계 시장 기술 및 시장 분석
국내 시장 기술 및 시장 분석
장비 기본 설계 개념 및 개념도
화학적 기계적 연마 개
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Polisher : 일정한 압력과 속력으로 회전하며 막을 Polishing하는 장치
Post Cleaner : Polishing 완료후 Wafer 표면의 이물질을 제거하는 장치
Slurry : Chemical Polishing 요소를 갖는 연마제
Pad : Mechanical Polishing 요소를 갖는 연마포
Slurry Distributor : Polisher에 Sl
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연마가 필요하다. 또한 연마 시 연마 시간도 부식의 원인이다. 장시간의 연마로 인하여 산화가 더욱 진행 되었을 것이라 생각되어진다.
4.결론
원심주조 된 비철금속인 Sn의 기계적 성질에 미치는 금형회전수 증가에 따른 영향에 대해 조사하
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