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CMP에 대한 수요는 급격히 증가할 것이다. 화학적 기계적 연마 개념 및 도입 목적
CMP 공정의 개략도
- CMP 공정의 기본 원리
- CMP 구성 및 공정 원리
- CMP 구성 요소
세계 시장 기술 및 시장 분석
국내 시장 기술 및 시장 분석
장
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Polishing 완료후 Wafer 표면의 이물질을 제거하는 장치
Slurry : Chemical Polishing 요소를 갖는 연마제
Pad : Mechanical Polishing 요소를 갖는 연마포
Slurry Distributor : Polisher에 Slurry를 공급하는 장치
CMP공정에는 수많은 변수들이 작용하는데, 그 중에서도 C
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화학적 기계적 연마(CMP, Ch-emical Mechanical Polishing) 공정을 광범위하게 사용하거나, 다층의 감광막을 사용하여 광학계가 느끼는 기판 단차를 줄여주는 방법이 이용되고 있다.
다른 한편으로는, 무반사막(ARC, Anti-Reflecting Coating/Layer)의 사용이 필
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케미컬 분사를 도와 주는 일렉트로드, 일렉트로드를 지지하는 가이드링 등이 있다. CMP(화학적·기계적 연마) 패드, 히터 블록, 정전척 등의 부품도 전공정 파츠다. 회로 미세화로 인해 반도체 공정 환경이 더욱 혹독해지면서, 파츠 수요는 빠른
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연마
4). 회로설계
5). 마스크(Mask)제작
6). 산화(Oxidation)공정
7). 감광액 도포(Photo Resist Coating)
8). 노광(Exposure)공정
9). 현상(Development)공정
10). 식각(Etching)공정
11). 이온주입(Ion Implantation)공정
12). 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)
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