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회로실험 P.60~67 데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.co.kr/ 1. 실험 목표 2. 관련이론 2-1 기초 이론 2-2 소개 2-3 소자(부품) 소개 3. PSpice 시뮬레이션 3-1 시뮬레이션 준비물 3-2 시뮬레이션 과정 3-3 시뮬레이션 결과 4. 실험 4-1 실
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회로실험 P.52~58 데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.co.kr/ 1. 실험 목표 2. 관련이론 2-1 기초 이론 2-2 소개 2-3 소자(부품) 소개 3. PSpice 시뮬레이션 3-1 시뮬레이션 준비물 3-2 시뮬레이션 과정 3-3 시뮬레이션 결과 4. 실험 4-1 실
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회로에 연결해야 한다. 3. LED의 최적 밝기판단은 불만 들어오는 상태 또는 밝은 상태 등 주관적으로 표현될 수 밖에 없다. 4. 실험 중 DC supply에 전압 조절기를 돌려도 공급전원이 조절되지 않는다면 회로의 단락을 확인하여 쇼트 되었는지 먼
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실험 시 VO를 어디를 찍어 측정해야 하는지 정확하게 파악하여야 한다. ⇒ 브리지 회로에서 대칭적인 구조로 연결되어 있는 값은 이론상으로 같은 값이 나와야 하는데 약간의 오차가 있었다. 이는 같은 소자를 사용하더라도 그 소자만의 특성
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회로 내부에서 발생하는 저항에서 발생한 것이다. 6 ) 문턱전압 이론 개요에서 정의한 것처럼 각 다이오드의 점화 전위(문턱 전압)를 특성곡선 그림으로부터 결정하라. 그림2-5에 근사화한 직선을 보여라. (Si) = 0.63V (Ge) = 0.3V 실험결과 1. 역방향
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회로 시뮬레이션 결과 ☞ 과 의 위상차(각도)는 90도이다. 3. 나의 고찰 이번실험은 저항과 커패시터를 직렬로 구성한 회로인 RC직렬회로와 저항과 인덕터를 직렬로 구성한 회로인 RL직렬회로에 정현파 교류전원을 인가시켜 오실로스코프로 V를
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회로에 영향을 미치니 않는 작은 저항을 추가하였다. ② [그림 10-7]의 RC 병렬회로를 시뮬레이션하여 과 의 위상차(각도)를 구하라. ☞ 예비보고서에서 시뮬레이션 해보았다. 90도이다. ※ PSpice 시뮬레이션 3. 나의 고찰 이번실험은 저항과 커패
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회로를 만들 수 있다. 7. 전압 분배 바이어스 회로에서 게이트 전압()은 핀치오프 전압()의 절대값과 같다. 8. 다른 조와 JFET을 바꿔 실험한 후 결과를 확인하면 같은 소자라도 특성이 다 다르기 때문에 다른 실험 결과 값이 얻어진다. (트랜지스
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안정도가 높아짐 Ve=1/10Vcc~1/4Vcc의 값을 가지며 이에 따라 출력 전류가 달라지므로 이 값은 전체적인 회로의 값에 영향을 미침 01. 실험 목적 02. 실험 장비 03. 이론 개요 04. 실험 과정 05. 실험 결과 06. 토의 및 고찰 07. 질의응답
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법칙 https://namu.wiki/w/%ED%82%A4%EB%A5%B4%ED%9E%88%ED%98%B8%ED%94%84%EC%9D%98%20%EB%B2%95%EC%B9%99 AND게이트 https://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%85%BC%EB%A6%AC_%ED%9A%8C%EB%A1%9C http://minhaep.tistory.com/35 제목 실험 목적 실험 장비 이론 출처
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