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실험장비도 처음에 봤을 때는 굉장히 복잡해 보였기 때문이다. 하지만 이번 실험을 통해서 생각보다는 어렵지 않음을 느꼈다. 측정 장비에 대해서도 충분히 숙지하고 원리도 어느정도 알았기 때문에 다음 실험부터는 좀 더 자신감을 가지고
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회로
치수 형상
기계적 강도, 내후성, 내열성
생산성, 가격
3. 실험 장비 및 부품
(1) 필요한 장비 및 부품
① 브레드 보드(Bread board)
② 멀티미터
③ 접촉식 디지털 온도계
④ IC 온도 센서 : AD590(전류 출력형)
⑤ OP 앰프 : uA741
⑥ 저항 : 940Ω, 27kΩ
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함수는 1이 되어 이득과 위상이 0에 있음을 확인 할 수 있다. 고주파에서는 진상의 역할을 하고 있는 것을 확인할 수 있다.
고찰
지상진상회로 실험은 시정수와 직류이득, 주파수, 저항()을 변경함에 따라 진지상회로의 특성을 알아보는 것이
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실험회로 3.3을 구성하시오.
5.11 함수발생기의 출력 V1을 오실로스코프 CH1으로 측정하여 정현파 1[kHz], 1VPP가 되도록 조절하시오.
5.12 V1과 V2를 오실로스코프 CH1과 CH2로 측정하시오. Pspice에 의한 시뮬레이션 결과와 비교 검토하시오.
오실로스코
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회로를 제외한 다음 실험부터는 본격적으로 NI-ELVIS 계측장비의 Bode Analyzer를 통해 실험결과 분석하기 위한 Bode Plot를 직접 실습하기에 앞서 Bode Plot이 어떠한 원리에 의해 그래프로 나타나는지에 대해 이번 리포트를 조사하면서 자세하게 살펴
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실험회로
□ 회로개요
3개의 전압원과 3개의 Vref 임피던스 Z1, Z2, Z3로 구성된 회로에 있어 Vref의 전압을 구해보기 위한 회로이다.
□ 회로해석
NODE Equation을 적용하여 풀어보면
따라서 에 의해 계산하면 Vref=6/3=2V가 된다.
□ 시뮬레이션 조건
Tran
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실험과 함께 다양한 도구를 이용해 실험값을 이론값과 비교해 볼 수 있었다. 특히 전달함수 만으로 뽑아내는 매트랩의 경루 이론값을 정확하게 보여 주었지만, 실제회로를 컴퓨터로 구성하는 PSpice는 이론과 다름을 눈으로 보여주었고, 또한
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실험을 반복하여라.
각 실험에서 C의 변화에 따른 다른 양상의 가독성을 위해 위에 첨부하였습니다.
이상의 실험과 시뮬레이션을 통하여 진상보상기에 대한 결론을 적으시오.
전달함수 G(s)= 에서 볼 수 있듯이 진상회로에서 얻어진 전달함수
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수동필터와 같다고 할 수 있다.
실험 방법에서와 같이 저항과 커패시터의 위치만 바꿈으로 해서 저역 필터와 고역 필터를 만들 수 있었고, 각 소자의 크기를 조절하여 0점과 3dB frequency의 위치를 조절 할 수 있었다.
4. 결과 및 토의
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n), 출력전압(vout)의 파형을 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과의 적절성을 보여라. Vsig의 Peak to peak는 10mV, freq는 1kHz로 설정하고, 두 주기의 입출력 파형이 출력되도록 설정하시오. Run to time =
(단, 트랜지스터의 제조사에 따라 실제 증폭율과
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