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특성을 관측하여 기록하라.
(7) <그림 13>의 두 조합 논리회로를 구성하여 실험을 통하여 진리표를 작성하라.
6. 실험 내용 및 결과
(1) 인버터 게이트의 회로를 구성하고 0V와 5V의 값을 가진 1kHz 구형파를 Vi에 연결한다. 입력전압 Vi와 출력전
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NOR 게이트 (SN7402)
A
B
Y(V)
0
0
3.65
1
0
1
0.15
0
1
0
0.14
0
1
1
0.16
0
○ NAND 게이트 (SN7400)
A
B
Y(V)
0
0
3.68
1
0
1
3.68
1
1
0
3.68
1
1
1
0.14
0
○ XOR 게이트 (SN7486)
A
B
Y(V)
0
0
8.4(mV)
0
0
1
4.94
1
1
0
4.95
1
1
1
11.2(mV)
0
●비교 및 고찰
이번 실험은 논리 게이트의 특성을 알고
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논리게이트를 어떻게 구성하는지를 다시한번 확인 할 수 있었고, 아직도 어렵지만 그나마 직접해봄으로써 조금 더 회로구성하는것에 대해 친해질수 있는 기회였던 것 같다.
♠ 참고 자료 ♠
● Pspice로 구현한 부울 대수
▶ 밑의 시뮬레이션을
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게이트의 진리표를 작성하고, NAND와 NOR게이트개념으로 다른 논리게이트를 구성해보는 실험이다. 1학기 때 배웠던 디지털 공학의 논리게이트를 이용하는 실험인데, NAND게이트의 출력전압을 측정하였는데 NAND게이트의 특성답게 입력값이 모두
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표기한다.
XOR 게이트의 논리식은
으로 표기할 수 있으므로 AND, OR, NOT 게이트를 사용하여 XOR 게이트를 구성할 수 있다. 다른 한편 로 표기할 수 있으므로 XOR 게이트는 NAND 게이트만 사용하여 구성 할 수 있다. 또한
로 표기할 수 있으므로 XOR 게
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