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이해한다.
● Diode를 응용한 회로(전파정류회로)를 구성해보고, 동작원리를 이해한다.
2. 실험결과
1) 실험 1 : Diode의 특성곡선
≪ 표 - 그림 파일 ≫ ≪ 그 래 프 ≫
≪ 그 래 프 ≫
실험결과분석 : 다이오드의
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알 수 있었고 이것을 통해 파형의 변화로 값의 변화를 어느 정도 예측할 수 있었다. 1. 목적
2. 관련이론
(1) 다이오드 특성
(2) 단상 반파 정류기
(3) 단상 전파 정류기
(4) 정류기의 성능 표시 파라미터
3. 실험내용
❏ 결론 및 고찰
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다이오드
1N4773
0.625V
4.669V
2. DMM을 이용한 저항, 캐패시턴스 측정
소자
규격
측정 값
저항
99.7
218.6
218.8
469.7
0.9863k
2.1928k
9.94k
9.92k
캐패시터
9.97
9.96
9.97
250옴저항이 없어서 220옴으로 대체
■ 실험회로 2 : 반파 정류 회로 측정
1) 실험절차에 따라서
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다이오드가 차단될 때, 다이오드 양단에 걸리는 최대전압이다.
즉, 다이오드의 역방향 정격전압은 PIV보다 커야 한다.
반파정류회로에서 PIV 는 VSP
전파정류회로에서 PIV 는 VSP - VD 이다.
5)[그림 5.4]에서 저항 Rs가 추가되면, 다이오드의 파손이
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이해한다.
Diode를 응용한 회로(전파정류회로)를 구성해 보고, 동작원리를 이해한다.
실험결과분석 : 저항은 1KΩ를 사용하였으나, 직접 측정해본 값은 997.54Ω 이었다. Vs는 입력전압이고, Vd는 다이오드에서 측정되는(다이오드가 소
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