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다이오드 특성곡선의 어느 영역에서 다이오드가 개방회로와 같이 되는가?
(a) 다이오드에 인가되는 전압이 장벽전위보다 낮을 때
(b) 다이오드에 인가되는 전압이 장벽전위보다 높을 때
-> 다이오드에 인가되는 전압이 장벽전위보다 낮을때
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같이 공핍층은 소멸되어 통전 상태로 되어 전류 I가 흐른다.
③ 용도 : 조광 자치, 모터 제어, 전차의 전력 제어 * 다이오드
* TR (트랜지스터)
* FET (전계 효과 트랜지스터)
* IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
* SCR (실리콘 제어정류기)
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전자회로기초및응용, 상학당, 남상엽 외2명, 06년7월1일, 271p~273p
②전자통신기초실험, 상학당, 전자통신연구회, 06년8월25일, 165p~173p
③전자회로실험, 청문각, 김경태 외1명, 03년1월15일, 156p~157p
④전자회로실험, 내하출판사, 김현후 외1명, 05년2
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전자전기공학실험, 홍릉과학출판사
http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html
http://user.chollian.net/~jackcom/study/hw/diode.htm
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture/전자회로1/chap1/index.html 실험 제목
실험 목적
기초 이론
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전자사태 광다이오드 제외, 광전자배증관의 증폭율은 108 까지 가능한데 반하여 전자사태 광다이오드는 일반적으로 102103이다.)
종합적으로 더 둔한 민감성
광자계산은 특별한 전자회로를 포함된 일반적으로 저온 광다이오드같은 특별한 설
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