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다이오드를 통과하면서 장벽전위에 의한 전압강하도 확실하게 확인 할 수 있었고 실험상 오차 값이 나올 일이 별로 없었긴 하지만 이론과 측정값의 오차가 거의 없었다. 커패시터를 브릿지 전파 정류회로에 병렬연결하면 커패시터의 충방전
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3
0.45
0.7
0.8
1.3
(3) 표 19-6. 역방향 전압에서의 전류
순방향전압
(V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
전류(mA)
변화없음
순방향 전압
(V)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.2
전류(mA)
0
0.04
0.15
0.20
0.35
0.6
0.7
1.0
1.4
1.5
0.75
(4) 표 19-7. 순방향 전압에서의 전류특성
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없음
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다이오드는 실리콘의 경우 약0.7V 이상 게르마늄이나 쇼트키의 경우 0.3~0.4V 이상되어야 흐르고, 역방향인 경우 누설전류가 흐르고, 속도도 유한하다.
2. 실리콘 다이오드의 경우 역방향 전류는 보통 수~수십nA 정도입니다. 일반 계측기로 측정하
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다이오드의 파형도 전파정류회로파형처럼 나온 것은 설치한 저항의 크기가 너무 작았기 때문이다. 저항 양단에 걸리는 전압도 역시 교류전압이지만, 전파 정류된 평균값이 0이 아닌 전압이다. 실험상으로는 측정하지 못하였지만, 시뮬레이션
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