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0.3
0.45
0.7
0.8
1.3
(3) 표 19-6. 역방향 전압에서의 전류
순방향전압
(V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
전류(mA)
변화없음
순방향 전압
(V)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.2
전류(mA)
0
0.04
0.15
0.20
0.35
0.6
0.7
1.0
1.4
1.5
0.75
(4) 표 19-7. 순방향 전압에서의 전류특성
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다이오드와 도선, 회로사이의 접촉이 완전하지 않았던 점을 들 수 있겠다.
7) 참고문헌
일반물리학실험 / 장지익 / 초판 2003/ p163-169 / 전기저항(옴의 법칙 및 다이오드특성) 1) 실험목적
2) 실험이론
A. 옴의 법칙
B. 다이오드 특성
C. 키르
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측정할 수 있다.)
오실로스코프를 X-Y 모드로 설정한다. 예를 들어 다이오드 특성측정을 들 수 있다. 저항과 다이오드를 직렬로 연결한다. 직렬 연결한 양단에 교류전원을 연결한다. 오실로스코프 접지선을 저항과 다이오드 연결 점에 접속한
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다이오드의 점화 전위(문턱 전압)를 특성곡선 그림으로부터 결정하라.
VT(Si) =
고찰
Si와 Ge다이오드의 특성을 확인하기 위하여 실시한 실험 이였지만 실제 실험 소자의 값은 실리콘 소자와 비슷하지 않았던 것 같다. Ge 다이오드는 범용적으로
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특성이 좌우된다. 즉 특성값은 어떤 특정한 조건에 따라 그 특성값이 좌우되는 경우가 많다.
3. DC 바이어스 종속성
커패시터, 인덕터, 다이오드, 트랜지스터 등의 일부 소자들은 DC 바이어스 종속성을 나타낸다.
2. Elvis, LabVIEW, DAQ Board
2-1.
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