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반도체이지만, 다이오드는 특히 이와 같은 한쪽 방향으로만 전류가 흐르도록 하는 것을 목적으로 하고 있다. 1.실험목적
2.이론
3.다이오드 특성 곡선
4.Si 와 Ge 다이오드 특성
5.다이오드 특성
6.다이오드의 AC 저항
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, 그 크기는 제너 전압과 같게 된다.
참고문헌
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자 :
2. 실험제목 : 실험 #9 Diode 및 Zener diode의 특성
3. 실험결과
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특성그래프를 이론조사로 미리 알게되었고 ,그것을 토대로 멀티심으로 실험을 해보니 더 이해가 잘되었다. 또, 바이어스에 따른 베이스 바이어스, 이미터 바이어스, 전압분배 바이어스, 컬렉터 피드백 바이어스를 동작점 및 여러 수식들을 알
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100Ω]-560Ω
[100Ω] - ∞
0
[1kΩ] -450Ω
[1kΩ] - ∞
1N34A
[100Ω]-250Ω
[100Ω] - ∞
0
[1kΩ] - 60Ω
[1kΩ] - ∞
(2) 다이오드의 I-V 특성을 그래프로 그려라.
5. 실험 결론 및 고찰
(1) 실험 결과 반도체를 접합시켜서 다이오드로 만들었을 때 공핍층이 형성되
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다이오드의 특성 곡선의 실험을 직접 해보면서 전자회로시간에 배운 다이오드의 양호불량 실험과 특성곡선 그래프를 실험을 통해 그려 보았고, AC/DC 에서의 측정법에 의한 특성곡선을 추출하였을 때에도 거의동일한 모양의 특성곡선을 확인
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