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하이텍의 시설 안정성과 생산라인 연속 가동성 확보에 기여하고자 합니다. 입사 후에는 신규 UT 시스템 구축 및 기존 설비의 신뢰성 향상, 유해화학물질 관리 고도화, 설비 자동화 및 에너지 최적화 프로젝트를 통해 실질적인 개선 성과를 도
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하이텍의 SiC 플랫폼 고도화에 기여하고자 합니다. 입사 후에는 SiC MOSFET 및 SBD(Schottky Barrier Diode) 기반 제품의 구조 최적화, 공정 수율 향상, Gate 산화막 신뢰성 확보 등 실질적인 과제를 주도할 수 있으며, 장기적으로는 SiC Hybrid Module 또는 SiC+GaN
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하이텍의 공정 플랫폼에 적합한 FS IGBT 또는 Trench IGBT 공정 모듈 안정화에 참여하고, 전력 손실을 최소화하면서도 생산 효율을 극대화할 수 있는 공정 개선 활동을 적극적으로 수행하고자 합니다. 나아가, Si 기반뿐만 아니라 향후 SiC 기반 Hybrid
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하이텍의 GaN 기술 내재화와 고객 신뢰 확보에 기여하고자 합니다. 입사 후에는 Wafer-level Reliability 확보, GaN-on-SiC/Si 기반 신규 공정 모듈 개발, Thermal Management 기술 강화 등 차세대 전력 소자 공정 경쟁력 확보를 위한 핵심 인력으로 성장하겠습
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0자 입력가능)
DB하이텍은 고도의 기술력을 바탕으로 반도체 산업을 선도하는 기업이며, ESH 분야에서도 글로벌 수준의 안전·환경 경영을 실현하고 있다는 점에서 깊은 인상을 받았습니다. 특히, 중대재해 예방과 친환경 경영을 위해 선제적이
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동부건설의 신뢰를 제고하는 현장 관리자가 되겠습니다. 1. 동부건설에 지원한 동기와 입사 후 포부를 기술해주십시오. (최대 500자 입력가능)
2. 본인의 성장과정과 삶의 가치관에 대해 기술해주십시오. (최대 500자 입력가능)
3. 지원직무
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하이텍의 차세대 전력 반도체 기술 개발에 제 경험을 접목시켜, 전력 소자에서의 고속 스위칭 성능을 더욱 향상시키는 데 기여할 것입니다. 향후에는 다양한 전력 응용 분야에서 DB하이텍의 MOSFET 기술이 경쟁력을 가질 수 있도록, 지속적으로
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하이텍의 고객 품질 만족도를 더욱 높이고, 나아가 Smart Implant Control 및 AI 기반 이상 탐지 체계 구축에까지 기여하고자 합니다. 1.지원 분야 및 직무 역량과 관련된 프로젝트/연구/경력사항에 대해 작성해 주십시오. (최소 100자, 최대 500자
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하이텍의 Etch 공정 고도화에 실질적으로 기여하고자 합니다. 입사 후에는 기존 공정의 안정성은 물론, 신규 공정 도입 시 빠른 최적화를 통해 Time-to-Market을 앞당기는 데 일조하고 싶습니다. 또한, 고객 품질 요구에 대한 빠르고 정확한 대응을
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설계한 구조물이 실제로 제작되어 사용되는 모습을 볼 때 가장 큰 보람을 느낍니다. 단순한 스케치에서 시작해, 계산과 설계를 거쳐 실제로 동작하거나 조립되는 과정을 지켜보며, 이론이 현실이 되는 감동을 체감했습니다. 특히 설계안의 작
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