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개발 현황>
* 삼성전자
- 나노구조의 ITO( In, Sn ) 소결체, SET-memory, 자성체의 스핀 배열을 이용한 MRAM 개발
- Discrete Charge-Storage Site(DCSS)를 이용한 Flash memory 소자에 대한 전기적 특성 및 신뢰성 연구
- Terabit급 탄소나노튜브 메모리 소자개발
- 나
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차세대%20나노%20메모리%20개발&sn=53&tc
=1188&sp=0&cp=10&od=1&db=&ix=7
http://www.kisti.re.kr/rnbd2/html/contents.jsp?co
=E10&va=차세대%20나노%20메모리%20
개발&sn=53&tc=1188&sp=0&cp=10&od=1&db=&ix=8 1. 배경
2. 차세대 제품
3. 기술 동향
4. 앞으로의 전망
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- 등록일 2005.03.21
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적 충당금 적립비율을 끌어 올린다는 방침에 따라 지난 1월 받은 카드사업 매각대금(6천억원)으로 주요 여신기업에 대한 충당금을 늘렸다"고 설명했다.
조흥은행과 외환은행은 "충당금을 충분히 쌓은 하이닉스뿐 아니라 나머지 기업에 대해서
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우리 인간들에게도 비일비재하게 일어나고 있습니다. 만약 우리가 더 넓은 대지에 뿌리를 내리지 못하고 작은 화분에 갇혀 산다면 어떻게 해야 하는지 가만히 생각해 봤으면 좋겠습니다. 그래서 저는 분재가 아닌 보다 큰 나무가 되기 위해서
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테라급 나노소자 사업단) 및 민간부분 (삼성전자)에서 각각 PRAM Feasibility 연구에 착수하였고 2003년에 삼성전자가 상용화 가능성이 높은 NMOS Transistor를 이용한 상변화 메모리 셀 실험시작품을 개발하여 발표 (Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop 2003
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