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결과를 표 9.5에 기록하라.
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%
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11.02
1.59
0.1
14.21
<연습문제>
a. 그림 9-1의 고정 바이어스회로에 대해 포화전류 를 계산하라.
(계산값) = 7.41㎃
b. 그림 9-2의 전압분배기 바이어스회로에 대해 포화전류 를 계산하라.
(계산값) = 8.06㎃
c. 연습문
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결과를 얻을 수 있다
구형파 입력한 회로의 출력을 디스플레이 할 때에 +반주기와 -반주기 때 끝부분이 조금씩 휘어지는 부분이 발생하는데 다른 주기로 전압이 바뀔 때 넘어가는 동안의 시간동안 만큼 휘어지게 된다. 1. 실험 목적
2. 실
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각각 와 가 달라 동작점이 다르게 형성되기 때문에 실험 중 JFET을 교체하였을 경우 동작점을 측정하면 설계값과 차이가 나타난다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 순서
5. 연습문제
6. 실험 결론
7. 토의 및 고찰
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측정한 두 다이오드의 를 이용하여 와 의 이론적인 값을 계산 하라.
(계산값) = 0 V
(계산값) = 4.3 V
c. 와 를 측정하고 순서 5(b)의 결과와 비교하라. 를 측정할 때 낮은 전압 범위를 사용하라.
(측정값) = 0 mV
(측정값) = 4.38 V
6) 연습문제
a. 그림 3-10
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전압 신호의 주기를 알려면 수평감도 와 수평칸수를 곱하여주거나 고등학교 때 배웠던 공식인 주기는 진동수 분의 1이라는 공식을 사용하여도 됩니다. 0. 실험 목적
실험 이론
실험 내용 및 결과
토의 및 고찰
질의 응답
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안정도가 높아짐
Ve=1/10Vcc~1/4Vcc의 값을 가지며 이에 따라 출력 전류가 달라지므로 이 값은 전체적인 회로의 값에 영향을 미침 01. 실험 목적
02. 실험 장비
03. 이론 개요
04. 실험 과정
05. 실험 결과
06. 토의 및 고찰
07. 질의응답
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측정값) = 18.4mV
= 10 MΩ
= 18.4 mV
= 18.34 μA
c. Ge 다이오드에 대해서 순서 3(b)를 반복하라.
Ge의 (측정값) = 15.34V
= 15.34 V
= 15.2 mA
d. Si와 Ge 다이오드의 결과값 를 비교하면 어떤가?
Si 다이오드가 Ge 다이오드에 비해 더 작은 전류가 흐른다.
=Ge 다이오
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결과
LPF, HPF, BPF 설계모습
LPF
저항
캐패시터
인덕터
첨두치
파형
HPF
저항
커패시터
인덕터
첨두치
파형
BPF
저항
캐패시터
인덕터
파형
(3.0KHz)
첨두치
2.79KHz에서 2.40V
파형
(4.5KHz)
첨두치
4.5KHz에서 3.42V 0.707 = 2.42V
파형
(6.0KHz)
첨두치
6.28KHz에서 2
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애매모호해서 조원끼리 토의를 해도 무슨 말을 하는 것인지 이해가 되지 않았다. 하지만 실험을 통해서 고등학교 때에는 알지 못했던 내부저항이란 개념과 건전지의 원리 등을 이해할 수가 있었다. 4. 실험내용 및 절차
5. 결과보고서
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(t)
가속도(a)
1
30
14.67
0.0028
2
40
17.67
0.0026
3
50
20.78
0.0023
4
60
23.92
0.0021
5
70
26.91
0.0019
평균값
50
20.79
0.0023
▶ 낙하질량 m=20g ■ 원리
■ 실험 결과
A. 회전축의 관성모멘트 측정
B. 회전막대의 관성모멘트 측정
D. 회전원판의 관성모멘트
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